半导体光电2012年第3期出版文献-钛学术文献服务平台

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半导体光电

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Semiconductor Optoelectronics

CA JST SA CSTPCD

影响因子 0.5046

本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。

主办单位：

重庆光电技术研究所

期刊荣誉：

信息产业部优秀电子期刊 重庆市优秀期刊

ISSN：

1001-5868

CN：

50-1092/TN

出版周期：

双月刊

邮编：

400060

地址：

重庆市南坪花园路14号44所内

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热门刊内文献

年度刊次

1. 原子层淀积技术应用于太阳电池的研究进展

作者：卢红亮周鹏孙清清张卫耿阳谢立恒谢章熠

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 307-313,360

摘要：原子层淀积（ALD）是一种先进的纳米级薄膜生长技术,在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景,尤其在提高太阳电池的光电转换效率方面正发挥越来越大的作用,很可能成为下一代太阳电池工艺中的重要方法...
2. 量子点红外探测器的研究进展

作者：徐波王占国贾亚楠

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 314-320,345

摘要：量子点红外探测器（QDIP）在红外探测领域具有十分广阔的应用前景,同时由于QDIP的有效载流子寿命长、暗电流低、工作温度高、对垂直入射光响应等优势,近年来高性能QDIP已经成为研究的热点。文...
3. 基于倒装焊芯片的功率型LED热特性分析

作者：王兴龙罗元魏体伟

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 321-324,328

摘要：对LED的导散热理论进行了研究,推导出了倒装焊LED芯片结温与封装材料热传导系数之间的关系。通过分析倒装焊LED的焊球材料、衬底粘结材料和芯片内部热沉材料对芯片结温的影响,表明衬底粘结材料对...
4. 硅薄膜太阳电池高效陷光结构的研究

作者：彭银生曹全君

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 325-328

摘要：利用严格耦合波分析方法和模式传输线理论,对硅薄膜太阳电池结合DBR（Distributed Bragg Reflector,分布布拉格反射器）和衍射光栅的叠层底部背反射器结构进行了优化设计。...
5. 半导体光放大器的偏振调制特性研究

作者：彭蕾李力杨秀丽王春华

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 329-333

摘要：首先理论分析了半导体光放大器的非线性偏振调制（PolM）效应,导出了稳态条件下SOA的偏振转换矩阵。通过数值仿真,描述了包括非线性自偏振调制（SPolM）、互偏振调制（XPolM）导致的偏振...
6. 实现大范围均匀照明的LED透镜二次光学设计

作者：余杰张国义童玉珍芦佳宁

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 334-337

摘要：提出了一种新的、利于实施计算的实现大范围均匀照明的LED灯具透镜设计方法。基于能量守恒定理和光线折射Snell定理,通过Matlab编程计算出自由曲面透镜坐标点。借助CAD软件和光学模拟软件...
7. 双沟平面掩埋结构SLD的液相外延生长及漏电分析

作者：周勇周雪梅方亮段利华罗庆春韩伟峰黄茂

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 342-345

摘要：对液相外延生长的双沟平面掩埋异质结（DCPBH）结构超辐射发光二极管（SLD）双沟内漏电现象进行了理论分析与定量计算。在此基础上通过优化外延结构设计与液相生长参数,得到了电流限制较理想的DC...
8. 硅太阳电池扩散方阻与栅线宽度匹配的研究

作者：俞健刘金虎张春萍张鹏徐征王庆伟胡盛华赵谡玲钟思华

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 350-353

摘要：研究了扩散方块电阻及印刷栅线宽度变化对太阳电池电性能的影响,根据初步实验结果提出假设,通过进一步实验进行验证。结果表明：适当地提高扩散方阻、降低栅线宽度,有利于短路电流及效率的提升。但受限于...
9. InP基稀释光波导特性分析

作者：崔大健陈昊高新江黄晓峰

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 354-356,396

摘要：从InP基稀释光波导的基本模型出发,利用有限差分波束传播（FD-BPM）算法,推导了InP基稀释光波导的有效折射率,对其进行了数值计算;根据光传输损耗方程,分析了稀释波导传输损耗产生的原因;...
10. 高亮度白光LED色温动态可调及显色指数的研究

作者：刘康林介本郭震宁

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 357-360

摘要：采用基于高亮度白光LED的色温可调混色方法,通过实验与理论计算研究了不同色温白光LED混色后色温Tc及显色指数Ra的变化。采用低色温（2 800～3 000K、3 000～3 400K）和高...
11. 光伏模拟器的设计及仿真验证

作者：卢志伟杨文燮胡仁杰

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 361-363,366

摘要：在对光伏电池输出特性及数学模型的研究基础上,用简单的方程较为精确地实现实际光伏电池I-V特性曲线的拟合。研究了光伏模拟器的方案设计,选择Buck电路作为主电路,并将电压反馈PI控制器应用到设...
12. 高阻p型硅大面积四象限探测器的研制

作者：向勇军李作金黄烈云

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 364-366

摘要：采用PIN结构,研制出高阻p型硅大面积四象限探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应时间、象限串扰、暗电流和响应度等参数进行了计算与分析。实验结果表明,器件响应度达到0.45A/...
13. 生长压力对GaN材料光学与电学性能的影响

作者：冯雷范亚明邢艳辉韩军

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 367-369,374

摘要：研究了采用MOCVD技术分别在100与500Torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。研究表明,低压100Torr外延生长条件可以有效地降低Ga与NH3气相反应造成Ga...
14. ZnS/PS复合体系的制备和性能表征

作者：伊厚会李清山王彩凤胡波

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 375-378

摘要：以电化学阳极氧化法制备的多孔硅（PS）为衬底,用脉冲激光沉积方法分别在200和300℃下制备了ZnS薄膜,得到ZnS/PS复合体系。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、荧光...
15. Y^（3＋）掺杂ZnO薄膜的结构及性能研究

作者：杨应湘谭红琳贾聪颖

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 379-381

摘要：采用溶胶-凝胶法在玻璃衬底上成功制备出Y3＋掺杂的透明ZnO薄膜。通过X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）和紫外分光光度计分析了掺杂Y3＋对ZnO薄膜结构和性能的影响。结果表明：Y3＋...
16. CCD含氯氧化工艺仿真校准研究

作者：李睿智王小强程顺昌许青钟玉杰

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 382-384,389

摘要：通过对含氯氧化在线实验结果和工艺仿真结果进行对比,并进行仿真工艺校准,发现采用氯含量相同的仿真校准结果较之等物质量仿真校准结果与实际工艺实验结果相吻合。对氯含量相同氧化校准模型进行了不同温度...
17. 非晶硅薄膜的LF-PECVD制备及椭偏表征

作者：吴鹏飞张国俊戴丽萍王姝娅钟志亲

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 385-389

摘要：以SiH4为先驱气体,采用低频等离子体增强化学气相沉积（LF-PECVD）方法在Si衬底上制备了氢化非晶硅（a-Si∶H）薄膜。在薄膜沉积过程中,工艺参数将会影响非晶硅薄膜的沉积速率和光学性...
18. 弹光晶体频率温度系数对弹光调制系统的影响

作者：王志斌陈友华马静

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 390-392,425

摘要：分析了（xyt）φ1切型长度伸缩振动模式下硒化锌晶体谐振器的频率温度特性。推导了温度与硒化锌晶体的密度、杨氏模量和膨胀等材料性质的关系,计算了硒化锌晶体的频率温度系数。结果表明,相对于硒化锌...
19. 超晶格量子阱二阶非线性系统的动力学稳定性

作者：吴木营罗诗裕邵明珠

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 393-396

摘要：在经典力学框架内和小振幅近似下,引入正弦平方势,把粒子的运动方程化为广义Duffing方程。在二次非线性情况下,把Duffing方程化为外尔斯特拉斯方程,并用外尔斯特拉斯函数分析了系统的相平...
20. 一种稀疏分光配置约束下的WDM网络多播RWA算法

作者：刘焕淋方强江上王杨杨

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 406-409,422

摘要：在波长路由WDM网络中,波长路由和波长分配是RWA算法提高光网络阻塞性能的两个重要阶段和关键技术。文章针对现有的稀疏分光配置约束下的光网络多播RWA算法复杂度高、代价高的问题,提出了一种新的...
21. 长距离传输中毫米波光链路性能的分析

作者：白瑶晨瞿鹏飞肖楠

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 410-413

摘要：建立了毫米波长距离光传输链路增益和噪声系数模型,分析了外调制器工作点对链路增益、噪声系数等的影响;计算了长距离传输中色散效应对链路增益的影响;推导分析了激光器相对强度噪声、散弹噪声、EFDA...
22. 光通信系统中LDPC码的构造及其编译码算法分析

作者：刘文龙袁建国贾跃幸

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 414-417,445

摘要：针对低密度奇偶校验（LDPC）码的相关理论和LDPC码自身特性以及光通信系统具有低噪声、高信噪比的传输特点进行分析后,提出了光通信系统中LDPC码型的构造方法,这为光通信系统中LDPC码型的...
23. 基于CCD像元细分的空间光通信定位研究

作者：全晓莉曹阳罗彬彬赵明富

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 423-425

摘要：在APT系统的对准误差中,定位引起的误差起决定性的作用。CCD的像元分辨力是影响定位精度的主要因素。研究了在如何保持现有硬件条件不变的情况下,通过软件插值的方法实现CCD像元细分,克服传统的...
24. 多域光网络联合路由保护算法

作者：张盛峰杜书袁建国

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 426-430

摘要：研究了多域光网络中的路由保护问题。为了避免多域光网络通路保护二步算法可能导致的多域陷阱问题,提出了一种基于Suurballe算法扩展的多域联合路由保护算法。仿真表明,相比传统的多域通路保护二...
25. 基于QoS的EPON系统动态带宽分配机制

作者：刘小丽

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 431-433

摘要：通过阐述以太网无源光网络（EPON）系统信道传输数据方式以及动态带宽分配的工作原理,进一步研究了动态带宽分配算法（DBA）在EPON系统中的应用。提出一种基于服务质量（QoS）的EPON系统...
26. 一种激光测距机光轴平行性智能检校方法

作者：刘国平刘秉琦周斌张雏胡文刚

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 434-436,440

摘要：针对发射光轴的双光楔校正结构,提出了一种激光测距机光轴平行性智能检测校正方法。建立了光轴平行性偏差量与双光楔结构旋转角度之间的数学模型,利用CCD图像传感器和数字图像处理技术得到激光发射光轴...
27. 利用线阵CCD测量透明介质折射率

作者：姜旭尚小燕李岳峰

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 437-440

摘要：根据光线通过均匀透明平行平板介质时发生的横向位移特性,提出了一种利用线阵CCD和计算机自动测量此横向位移量,并很快计算出透明介质折射率的简单方法。采用He-Ne激光以入射角分别为30°、45...
28. 基于CPCIE的并行光电跟踪控制系统

作者：杨龙熊皑范永坤

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 441-445

摘要：光电跟踪系统作为外场中重要的目标观测与实时定位设备,有着不可忽视的作用。然而,随着目标机动性能的增加,对目标的实时响应就成了制约跟踪系统性能的关键。因此,采用更高性能的处理器和并行处理等手段...
29. 适应于图像复原的无参考图像质量评价方法

作者：吴钦章王辉

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 446-450

摘要：由于图像降质过程的复杂性、成像获取条件限制,以及图像本身的复杂性和图像复原过程的病态性,图像复原解大多都是近似的或畸变的,一种适应于图像复原质量评价的计算方法将大大提升图像复原的应用范围。针...
30. 基于高速光纤和PCI-E实时红外图像采集传输研究

作者：李燕汤心溢王世勇葛军

刊名：半导体光电

发表期刊： 2012年3期

页码: 451-454

摘要：设计了一种基于FPGA的图像采集卡,集合了目前流行的高速光纤技术和PCI Express总线,并运用分层的Aurora协议和PCI Express协议实现光纤和PCI-E总线上数据的管理。在...

半导体光电基本信息

刊名	半导体光电	主编	江永清
曾用名
主办单位	重庆光电技术研究所	主管单位	中国电子科技集团公司
出版周期	双月刊	语种	chi
ISSN	1001-5868	CN	50-1092/TN
邮编	400060	电子邮箱	soe@163.net
电话	023-62806174	网址	www.semiopto.net
地址	重庆市南坪花园路14号44所内