半导体光电2015年第6期出版文献-钛学术文献服务平台

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半导体光电

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Semiconductor Optoelectronics

CA JST SA CSTPCD

影响因子 0.5046

本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。

主办单位：

重庆光电技术研究所

期刊荣誉：

信息产业部优秀电子期刊 重庆市优秀期刊

ISSN：

1001-5868

CN：

50-1092/TN

出版周期：

双月刊

邮编：

400060

地址：

重庆市南坪花园路14号44所内

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热门刊内文献

年度刊次

1. 黄铁矿(FeS2)薄膜制备和掺杂改性的研究进展

作者：神征莫淑一邹正光龙飞

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 857-862

摘要：立方晶系的黄铁矿型FeS2薄膜具有高的吸收系数,并且其组成元素储量丰富,无毒,环境相容性好,有望成为新一代薄膜太阳电池吸收层材料.介绍了FeS2的光学特性并详细阐述了FeS2薄膜的制备方法和...
2. 非视距散射光通信研究进展

作者：徐智勇汪井源裴伟程赵继勇

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 863-868

摘要：以紫外光通信为代表的非视距散射光通信是针对自由空间光通信的一种补充手段,在军事局域保密通信中得到广泛应用.阐述了散射光通信中的信道建模、调制解调等关键技术的研究现状及其工作原理,介绍了当前主...
3. 基于内置光栅的大功率激光二极管

作者：冯琛刘刚明周勇廖柯段利华田坤

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 869-874,879

摘要：研制了一种用作光纤激光器泵浦光源内置光栅的976 nm激光二极管,分析了外延结构和芯片平面结构设计,并着重对内置光栅进行了理论分析和设计,通过技术研究和工艺优化,研制出了满足系统工程应用的激...
4. 光纤陀螺用SLD启动特性及影响研究

作者：周卫宁王夏霄高洋洋黄宛

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 875-879

摘要：光纤陀螺的快速启动在军事、导航等领域极其重要,超辐射发光二极管(SLD)是光纤陀螺中启动速度最慢的器件.对SLD启动特性机理进行分析,采用高速数据采集卡对功率、驱动电流、温控电流和温度的变化...
5. 量子点激光器瞬态响应及调制特性分析

作者：张红林徐政珂潘武程彩玲

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 880-883,913

摘要：基于二能级系统建立量子点激光器的载流子-光子速率方程模型,分析量子点激光器的瞬态响应和调制特性,获得其动态特性.同时分析了注入电流对量子点激光器输出光子密度的影响,随着注入电流的增大,激光器...
6. 基于0.35 μm CMOS工艺的APD器件仿真分析

作者：杜超雨王冠宇王婷王巍王振陈丽鲍孝圆黄义

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 888-891,908

摘要：提出了一种基于0.35μm CMOS工艺的、具有p+/n阱二极管结构的雪崩光电二极管(APD),器件引入了p阱保护环结构.采用silvaco软件对CMOS-APD器件的关键性能指标进行了仿真...
7. 黑硅微结构光敏二极管

作者：张昌丽李华高李平李益李睿智王文革龙飞

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 892-894

摘要：与平面硅相比,黑硅对0.25～2.5μm波长光具有高吸收特性.为了提高硅光敏二极管的近红外灵敏度和响应时间,采用金属辅助刻蚀在光敏二极管探测器背面制作了黑硅微结构.在1 064 nm波长,探...
8. 基于三维有限元模型的微测辐射热计TCR及电学性能研究

作者：王涛蒋亚东陈超马加锋

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 895-900

摘要：微测辐射热计结构的电阻温度系数(TCR)及其电阻值对非致冷红外焦平面探测器的性能有极大影响.基于精确的微测辐射热计三雏模型,采用热电偶合有限元方法,分析了其电学特性,针对所建立模型,加载0....
9. 短波红外In0.53Ga0.47As探测器的实时γ辐照研究

作者：唐恒敬李淘李雪邵秀梅黄星龚海梅

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 901-904

摘要：空间应用短波红外InGaAs探测器的性能不断提高,对辐照损伤越来越敏感.通过实时测试的方法,研究了不同剂量和不同剂量率的γ辐照对晶格匹配In0.53Ga0..47As探测器电流-电压特性的影...
10. 823×592元内线转移CCD图像传感器

作者：吕玉冰杨洪翁雪涛郑渝雷仁方

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 905-908

摘要：采用三层多晶硅、埋沟、双层金属工艺研制了1/2英寸823×592、8.3μm×8.3 μm内线转移CCD,该器件设计制作了纵向抗晕结构,实现了内线转移器件光晕抑制.该器件水平驱动频率可达30...
11. 一种在线测量杜瓦冷损的数值方法

作者：张海燕汪洋管建安陈安森龚海梅

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 909-913

摘要：提出了一种在线测量杜瓦辐射漏热、传导漏热及总漏热的数值方法.该方法利用了杜瓦冷头温度变化与辐射漏热、传导漏热之间的函数关系,通过对冷头的温度变化曲线进行数值拟合,逆向导出冷损的表达式.在不破...
12. 半导体激光器光纤耦合输出光斑均匀性的研究

作者：井红旗仲莉刘素平吴霞林楠王翠鸾王鑫赵懿昊马骁宇

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 914-917,921

摘要：自行设计实验,采用CCD采集光纤末端输出的光斑,利用Matlab编写程序,分析了光纤输出光斑的光密度分布规律,并利用三维立体图进行直观表示.研究了光纤尺寸、数值孔径和弯曲程度对输出光斑均匀性...
13. 一种基于基板缺陷的共面波导电磁带隙结构

作者：孙浩李凌云盆天玉

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 918-921

摘要：提出了一种通过湿法腐蚀实现的基板缺陷共面波导电磁带隙结构,并进行了建模仿真、加工和测试.重点研究了基板缺陷结构与传统金属缺陷结构的差异,以及采用湿法腐蚀工艺的优势.实验结果显示:新结构具有明...
14. 不同晶向GaSb晶片表面化学组分及形貌分析

作者：刘京明刘彤杨凤云程雨苏杰董志远赵有文

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 922-924,938

摘要：对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面极为粗糙;有极性的(111)GaSb晶面由于Ga-Sb价...
15. MEMS静电驱动器的场致电子发射效应研究

作者：汪为民王强范斌邱传凯陈泽祥

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 925-929,935

摘要：为研究MEMS静电驱动器的场电子发射效应,设计并加工了排斥驱动器和平行板驱动器两种不同结构的静电驱动器,实验测试了电极间漏电流随驱动电压的变化关系,验证了其满足场发射效应的FN理论公式,从而...
16. 硅片湿法清洗工艺缺陷控制研究

作者：李利民罗春林贾远红韩沛东

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 933-935

摘要：采用光学表面分析(OSA)方法,研究了硅片湿法清洗工艺中清洗液SC1的浓度配比和温度对硅片表面颗粒和缺陷的影响.研究结果表明,当NH4OH浓度较小,则硅片表面颗粒数增加,而缺陷减少;当SC1...
17. 大阵列CCD光刻图形拼接技术研究

作者：李佳杨修伟杨洪袁安波高建威

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 936-938

摘要：针对大阵列CCD工艺制作过程中光刻大面积图形曝光的需求,提出了一种适用于光刻拼接的图形补偿方法.图形拼接处进行相反的补偿设计0.3 μm“凹陷”,曝光时拼接交叠0.3μm.光刻后,图形拼接处...
18. a-SiCdTe∶H薄膜做液晶光阀光敏层的光学特性研究

作者：伍海峰刘韦颖王继岷蒋向东连雪艳

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 939-941,945

摘要：采用射频磁控溅射法制备了用于液晶光阀光敏层的a-Si1-x(CdTe)x∶H薄膜.研究了CdTe含量对氢化非晶硅薄膜光学性能的影响.采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱(XPS)、椭偏仪等测...
19. 强电场作用半导体非平衡载流子输运的瞬态特性研究

作者：席彩萍白秀英薛红

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 942-945

摘要：根据量子统计理论,结合材料的晶格结构和能带特点,研究了半导体材料电子态的微观结构及非平衡载流子的量子统计分布特性;分析了电子-声子相互作用的微观状态和弛豫过程,对强电场作用下非平衡载流子的分...
20. PECVD制备非晶硅薄膜的均匀性控制方法研究

作者：何存玉刘永刘爽尹潘薇陈德军

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 951-953

摘要：针对用于制备非晶硅薄膜的PECVD设备反应室的流体场进行了模拟仿真,并实验制备了相对应条件下的非晶硅薄膜,利用台阶仪完成了对薄膜厚度的测量,对比仿真结果,发现薄膜的厚度分布情况与基片表面附近...
21. 基于不同散射相函数的紫外光传输特性研究

作者：姜小波孟令贺巩稼民李晨杨萌

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 954-958

摘要：为了研究三种不同散射相函数下紫外光大气传输特性,文章采用非直视紫外光通信的单次散射简化模型,对系统接收机接收到的能量及紫外光传输路径损耗随传输距离和散射角的变化情况进行分析.结果表明:三种相...
22. CO-OFDM系统中基于卡尔曼滤波对相位噪声补偿算法的研究

作者：李璋超袁建国马骏

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 959-963

摘要：基于卡尔曼滤波提出了两种相干光正交频分复用(CO-OFDM)系统的相位噪声补偿算法,这两种算法在发射端的时域均插入导频,并在接收端对导频进行卡尔曼滤波,最后利用插值算法补全全部子载波的相位噪...
23. 铌酸锂马赫-曾德调制器零点漂移特性的研究

作者：刘岚岚华勇吴重庆李善勇杨帅

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 968-972

摘要：对铌酸锂马赫-曾德调制器(MZ-LN)调制特性曲线、半波电压和零点电压进行了测量.实验表明调制特性曲线存在一定的偏移,调制器的零点电压存在严重的漂移现象.实验研究了零点漂移对NRZ码和DPS...
24. 多跳相干探测光谱幅度码标记交换系统传输特性分析

作者：孙豹徐泽晖曹永盛杜书

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 978-981,1005

摘要：提出了一种基于标记栈技术的两跳相干探测光谱幅度码(SAC)标记交换系统.利用仿真软件,搭建了包含两个转发节点、两个156 Mb/s光谱幅度码标记、与40 Gb/s差分正交相移键控(DQPSK...
25. 捷联图像导引系统传感器稳像方法

作者：崔少辉方丹郭晓冉

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 982-987

摘要：以消除捷联图像导引系统视频抖动为出发点,深入研究了捷联图像导引系统传感器稳像方法.通过分析惯性坐标系与弹体坐标系之间的转换关系,推导出了弹体姿态变化与探测器成像平面上像素点坐标变化之间的映射...
26. 大视场TDI CCD相机焦平面电路一致性设计

作者：刘妍妍李国宁高印寒

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 988-992

摘要：针对大视场TDI CCD拼接相机焦平面存在各通道之间性能的差异性较大,导致多通道拼接好的图像存在明显的亮暗差别等问题,提出一种可靠的、有效的焦平面电路一致性设计方法.首先,介绍了TDI CC...
27. 一种抑制关态漏电流和提高亮度稳定性的OLED微显示像素电路研究

作者：张健徐云龙李传南杨春城袁培陈鑫

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 993-998

摘要： OLED微显示像素驱动电路中,由于较小的存储电容和开关MOS管关态漏电流的影响,导致其存储电压和亮度不稳定.通过分析影响关态漏电流的主要因素,提出了一种多开关管串联和存储电容拆分相结合的办法...
28. 应用于CMOS图像传感器的联合降噪插值算法研究

作者：任思伟刘昌举张靖李明李梦萄

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 1006-1009,1013

摘要：提出了一种可应用于CMOS图像传感器的联合并行图像预处理算法,其中,色彩插值算法采用双线性插值法和边缘导向插值法相结合的方式来完成色彩还原,而降噪算法采用带阈值的空间自适应滤波降噪算法,在硬...
29. 室内照明用白光LED光源照度对人眼视网膜的影响研究

作者：任淑艳孙永赵丽鹿柳

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 1010-1013

摘要：针对白光LED光源对视功能影响进行医学实验研究,对不同照度下的各组大鼠视网膜电图进行检测,并比较不同光源照度对典型视网膜电图数据特征指标的影响.相对于正常对照组,300 lux照度的白光LE...
30. 频率调制光谱稳频法的信号处理算法研究

作者：代作晓李文辰马贝鲁湛

刊名：半导体光电

发表期刊： 2015年6期

页码: 1014-1018

摘要：频率调制光谱稳频法利用参考气体对激光吸收量来反馈控制激光波长稳定,反馈信号的提取通过调节参考信号与吸收分量同相的方式实现.为免除移相的麻烦,提出利用吸收分量和色散分量的合成信号作为反馈信号,...

半导体光电基本信息

刊名	半导体光电	主编	江永清
曾用名
主办单位	重庆光电技术研究所	主管单位	中国电子科技集团公司
出版周期	双月刊	语种	chi
ISSN	1001-5868	CN	50-1092/TN
邮编	400060	电子邮箱	soe@163.net
电话	023-62806174	网址	www.semiopto.net
地址	重庆市南坪花园路14号44所内