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摘要:
针对用于制备非晶硅薄膜的PECVD设备反应室的流体场进行了模拟仿真,并实验制备了相对应条件下的非晶硅薄膜,利用台阶仪完成了对薄膜厚度的测量,对比仿真结果,发现薄膜的厚度分布情况与基片表面附近的气流分布情况密切相关,获得均匀性优于2.5%非晶硅薄膜.
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关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 PECVD制备非晶硅薄膜的均匀性控制方法研究
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 非晶硅薄膜 PECVD 均匀性
年,卷(期) 2015,(6) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 951-953
页数 分类号 TB383.2
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘爽 电子科技大学光电信息学院 65 410 11.0 17.0
2 刘永 电子科技大学光电信息学院 52 105 5.0 7.0
3 陈德军 电子科技大学光电信息学院 12 39 4.0 6.0
4 何存玉 2 2 1.0 1.0
5 尹潘薇 2 2 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
非晶硅薄膜
PECVD
均匀性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
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