RF-PECVD制备微晶硅薄膜的X射线衍射研究

• 作者: 何青 孙云 席强 张德贤 蔡宏琨 赵飞 陶科
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: X射线衍射(XRD) 氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜 氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜 晶粒尺寸
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 545-549
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 2979字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.03.014

摘要

采用X射线衍射(XRD)技术连续扫描法和薄膜衍射法对RF-PECVD制备的微晶硅薄膜结构进行了研究.改变硅烷浓度和反应功率,控制薄膜的生长速率,已达到制备不同材料的目的.根据硅基薄膜的电学特性和XRD测试,随着反应功率的增加,硅基薄膜的生长速率不断提高,微晶硅薄膜的晶化程度不断增大.