PECVD生长纳米硅薄膜的X射线衍射分析

• 作者: 刘晓晗 吴则嘉 宓小川 张林春 杨晟远 陈英颖
• 来源期刊: 理化检验-物理分册
• 学科: 工学
• 关键词: X射线衍射 等离子增强化学沉积 纳米硅薄膜 相 晶粒尺寸 微观畸变
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 实验技术与方法
• 页码范围: 179-182,186
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1|TG115.23
• 字数: 3274字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4012.2004.04.005

摘要

等离子增强化学沉积生长的纳米硅薄膜是由纳米级尺寸的晶粒和晶界组成的厚度极薄的薄膜,采用X射线薄膜衍射法即X射线以低掠射角(1°～5°)入射,延长X射线在薄膜中的行程,同时将聚焦光路改为平行光光路,以提高来自薄膜的衍射强度,得到纳米硅薄膜的衍射峰.借此方法,研究了本征膜和掺磷薄膜的硅晶体结构及掺磷浓度对硅晶粒大小和晶格微观畸变的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宓小川	宝山钢铁股份公司技术中心分析测试研究中心	8	38	4.0	6.0
2	陈英颖	宝山钢铁股份公司技术中心分析测试研究中心	9	63	4.0	7.0
3	吴则嘉		4	24	2.0	4.0
4	刘晓晗		4	24	2.0	4.0
5	杨晟远		4	24	2.0	4.0
6	张林春		4	24	2.0	4.0