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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： A comprehensive review on the current status and prospects of vertical gallium nitride (GaN) po...
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272. 氮化镓体单晶生长的进展刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 主要讨论了3种氮化镓(GaN)体单晶生长技术,包括氢化物气相外延(HVPE)、助熔剂法、氨热方法.首先叙述了在HVPE法制备GaN体单晶方面的研究进展,包括位错的减少、应变的控制、衬底的分离...
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273. 增强型GaN功率器件及集成技术刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 针对氮化镓(GaN)功率器件的研制,采用栅区域势垒层减薄技术及p-GaN栅结构,分别研制了阈值电压2V以上、击穿电压1 200V以上的凹槽栅结构和阈值电压1.1V、击穿电压350 V以上、输...
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274. GaN HEMT电力电子器件的关键技术刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)电力电子器件应用面临的挑战,从阈值电压回滞效应、电流崩塌效应和增强型的实现等进行讨论.在GaN表面沉积Si3N4前进行原位氮(N)等离子体处...
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275. 绝缘栅GaN基平面功率开关器件技术刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 绝缘栅氮化镓(GaN)基平面功率开关器件是下一代GaN功率电子技术的最佳选择.在此从Si基GaN金属绝缘体(氧化物)半导体(MIS/MOS)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件面临的界面态和增...
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276. GaN功率开关器件驱动技术的研究与发展刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 以Si材料为基础的传统电力电子功率器件已逐步逼近其理论极限,难以满足电力电子技术高频化和高功率密度化的发展需求.与传统的Si器件相比,氮化镓(GaN)器件展现了其在导通电阻和栅极电荷上的优势...
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277. 增强型GaN功率器件栅驱动技术设计考虑刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： GaN晶体管相对于MOSFET器件有更小的导通电阻和栅电荷,在高速、高功率密度应用中独具优势.但增强型GaN器件存在自身独特的物理特性,包括最大栅压限制、阈值电压偏低和存在反向导通电压等.因...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 40 years ago,there was a revolution in power converter efficiency,density,size and cost,with th...
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279. 宽禁带电力电子器件关键封装材料研究进展刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 选择合适的电子封装材料对充分发挥半导体器件的性能有着十分重要的影响.详细概述了电力电子器件,尤其是宽禁带电力电子器件的高温可靠封装关键材料的研究进展及发展趋势,并对其发展前景进行了展望.其中...
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280. Si衬底GaN基功率电子材料及器件的研制刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 目前,采用Si上生长氮化镓(GaN)材料这一技术路线制备功率电子器件,已成为业界共识.而这一技术路线最大的挑战就是Si衬底GaN外延生长应力调控、高耐压和导通电阻稳定性控制技术.成功地制备了...
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281. 光伏逆变器辐射EMI噪声机理与抑制方法刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 针对光伏逆变器产生的辐射电磁干扰(EMI)噪声,提出了基于近场测试和近场波阻抗的辐射噪声源诊断方法;分析了因大功率电力线串扰和传输阻抗失配引起的辐射噪声机理,以及噪声传输路径;设计基于串扰扼...
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282. 四象限脉冲整流器控制策略研究与实现刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 针对四象限脉冲整流器,提出一种电压外环加电流内环的控制算法,详细介绍了该算法中基于d,q坐标系的有功无功电流解耦控制和基于广义二阶积分(SOGI)的单相锁相环技术.仿真和实验结果均证明该算法...
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283. 双馈电机无速度传感器控制算法研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 为解决电网不对称条件下,双馈电机转速、转子位置估算不准确问题,从而解决无速度控制算法无法工程化应用问题,提出一种基于比例积分谐振(PIR)闭环控制器的自适应控制器的无速度传感器控制算法.分析...
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284. Boost电路寄生参数影响分析与验证刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 理想DC/DC变换器建模因忽略寄生参数影响,仿真结果与实际电路存在较大偏差.主要讨论在电感和电容高频寄生电阻条件下,基于电路平均法建立非理想Boost变换器小信号数学模型.对于寄生参数的存在...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 设计了一种高效稳定的光伏并网发电装置,可实现光伏电池最大功率点跟踪(MPPT),提高电能转换效率.装置采用软件锁相环(SPLL)闭环控制及复合校正控制,提高系统动态性能及稳态性能,该装置同时...
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286. 对等结构的微网逆变器控制策略研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 针对对等结构微网,采用一种分层控制策略.微网逆变器在孤岛和联网运行模式下均采用下垂控制,发生孤岛时无需改变控制算法;通过虚拟阻抗控制算法能重塑线路阻抗,提高功率解耦度,并在抑制电压谐波方面具...
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287. 分布式串补装置主变压器功率输出特性研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 分布式串联补偿装置通过变压器原理,将串联电抗耦合到初级回路,通过改变次级的电抗值实现串联补偿的功能.主变压器作为装置最主要的功率转换器件,其功率输出特性将直接决定整个装置的功率密度和发热问题...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 建立LCL滤波的三相脉宽调制(PWM)整流器的数学模型,对于直接功率控制(DPC)的开关频率不固定以及LCL滤波器引入的谐振问题,构造功率外环电流内环的双环控制结构;提出一种新型DPC策略,...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 低压配电网中,通常使用静止同步补偿器(DSTATCOM)补偿无功功率和不平衡负载造成的负序电流,针对DSTATCOM具有强耦合、多变量、非线性特性,提出一种综合滑模控制、状态反馈精确线性化和...
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290. 一种双电压环的电网电压发生器系统的研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 对比不同电网电压发生器拓扑结构,分析各拓扑结构优缺点,设计了一种单相级联型电压发生器拓扑.根据此拓扑结构原理建立其数学模型,在分析数学模型的基础上推导出了双电压环控制系统:有效值外环、瞬时值...
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291. 氮化镓器件在大功率电力电子系统中的应用刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 氮化镓(GaN)器件由于其卓越的开关特性,被逐渐应用于10 kW及以上系统.器件并联技术能够进一步降低GaN器件的导通损耗,增加系统的功率容量,开始成为工业界关注的重点.由于其极快的开关速度...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： This paper overviews the benefits,challenges,research trends and potential solutions on the des...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 设计了一台以增强型氮化镓(eGaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)为开关器件的450 W DC/DC模块电源.主功率电路采用同步整流Buck+软开关推挽的两级结构.针对eGaN HEMT应用...
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294. 基于高压GaN器件的双有源桥设计刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 高压氮化镓(GaN)与传统硅基器件相比,其禁带宽度更宽,导通电阻及寄生电容更小,因此应用在中小功率场合可有效提高变换器的功率密度和开关频率.根据高压GaN的开关特性,设计了一种能消除米勒效应...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 分析了基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)同步整流Buck变换器的各部分损耗,并推导出主要损耗的计算公式.针对GaN同步整流管的反向导通特性,分析了死区时间形成过程,设计死区时...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 对比碳化硅(SiC)与硅(Si)的材料特性差异,分析基于不同材料金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的电气特性,仿真得到其开关轨迹.提出一种有关驱动电阻对于开关过程影响的分析模型.论...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 基于C2M系列SPICE模型,对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)静动态特性进行分析.结果表明该模型在工作结温较低时,与数据手册提供的静态特性曲线较吻合,但工作结温...
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298. 碳化硅MOSFET行为建模方法刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 针对传统建模方法较复杂的问题,提出一种碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)行为建模的方法.用一组简单方程描述了SiC MOSFET的静态特性并考虑了其温度特性,对两个...
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299. 电动汽车功率半导体模块封装的现状与趋势刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 随着混合及纯电动汽车(HEV/EV)的快速发展,作为电动汽车动力系统核心部件,汽车级功率半导体模块已成为功率半导体产业最快的增长点之一.为满足汽车系统在功率、频率、效率、可靠性、重量、体积和...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 碳化硅(SiC)混合绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率器件具有高频、高效率、高功率、耐高温、抗辐射等优点.以下一代地铁列车为目标,对SiC混合IGBT功率器件与普通IGBT功率器件在通态损耗...
电力电子技术基本信息
| 刊名 | 电力电子技术 | 主编 | 吕庆敏 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 西安电力电子技术研究所 | 主管单位 | 西安电力电子技术研究所 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-100X | CN | 61-1124/TM |
| 邮编 | 710061 | 电子邮箱 | dldzjstg@163.com |
| 电话 | 029-85271823 | 网址 | www.dldzjs.com |
| 地址 | 西安朱雀大街94号 |
电力电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 中国科学引文数据库 |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 获中国科技核心期刊 |
| 2. | 获中文核心期刊 |
| 3. | 获学位与研究生教育中文重要期刊 |
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