Si衬底GaN基功率电子材料及器件的研制

• 作者: 倪毅强 罗睿宏
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 氮化镓 硅衬底
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 宽禁带半导体电力电子器件专辑
• 页码范围: 86-88,97
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

目前,采用Si上生长氮化镓(GaN)材料这一技术路线制备功率电子器件,已成为业界共识.而这一技术路线最大的挑战就是Si衬底GaN外延生长应力调控、高耐压和导通电阻稳定性控制技术.成功地制备了无裂纹、低翘曲、高导通、均一性好、耐压高的2～8英寸Si衬底GaN外延片,外延材料满足650 V功率器件要求,并在6英寸互补金属氧化物半导体(CMOS)产线上成功开发出650 V,200 mΩ的功率场效应晶体管(FET)器件.