六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究

• 作者: 何亮 倪毅强 刘扬 张佰君 张晓荣 李柳暗 罗睿宏 陈建国
• 来源期刊: 电源学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 6英寸Si衬底 AlGaN/GaN功率电子材料 CMOS工艺 GaNMIS-HEMT器件 常关型
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: GaN基功率电子器件及其应用专辑
• 页码范围: 26-37
• 页数: 12页
• 分类号: O472.4
• 字数: 3356字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2019.3.26

摘要

氮化镓(GaN)作为第三代半导体材料的代表,具有优异的材料物理特性,更加适合于下一代电力电子系统对功率开关器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣工作温度的要求.为了兼容Si基CMOS工艺流程,以及考虑到大尺寸、低成本等优势,在Si衬底上进行GaN材料的异质外延及器件制备已经成为业界主要技术路线.详细介绍了在6英寸Si衬底上外延生长的AlGaN/GaN HEMT结构功率电子材料,以及基于6英寸CMOS产线制造Si基GaN功率MIS-HEMT和常关型Cascode GaN器件的相关成果.