GaN基蓝紫光激光器的材料生长和器件研制

• 作者: 刘宗顺 刘素英 史永生 叶小军 孙捷 张书明 曹青 朱建军 李德尧 杨辉 梁骏吾 段俐宏 王海 种明 赵伟 赵德刚 金瑞琴 陈俊 陈良惠
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 有机化学气相沉积 GaN基激光器 多量子阱 脊形结构 阈值电流密度
• 年，卷（期）: 2005,（2）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 414-417
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 1876字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2005.02.038

摘要

报道了国内首次研制成功的GaN基蓝紫光激光器的材料外延生长、器件工艺和特性.用MOCVD生长了高质量的GaN及其量子阱异质结材料,以及异质结分别限制量子阱激光器结构材料.GaN材料的X射线双晶衍射摇摆曲线(0002)对称衍射和(10(-1)2)斜对称衍射半宽分别为180″和185″;3μm厚GaN薄膜室温电子迁移率达到850cm2/(V·s).基于以上材料,分别成功研制了室温脉冲激射增益波导和脊型波导激光器,阈值电流密度分别为50和5kA/cm2,激光发射波长为405.9nm,脊型波导结构激光器输出光功率大于100mW.