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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 碳化硅(SiC)功率金属-氧化物半导体场效应管(MOSFET)以其优越的性能受到广泛关注,但受限于器件设计和工艺技术水平,器件的潜力尚未得到充分发挥.介绍了SiC功率MOSFET的结构设计和...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 基于自主绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片和碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD),研制3 300 V/500 A SiC混合模块,完成模块的性能测试及热阻测试,并与Si IGBT模块进行...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 介绍了结势垒控制肖特基整流器(JBS)和JBS集成碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(SiC JMOS)的特性.JMOS通过将DMOS和JBS合并于单片SiC器件,无需任何额...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 碳化硅(SiC)作为第3代宽禁带半导体的核心材料之一,具有高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高热导率、化学稳定性好等优良特性,是制作高压、大功率、高频、高温和抗辐射新型功率半导体器件的理想材料...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： The advancements in the technology development for silicon carbide(SiC) lateral devices are sum...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 以实际碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件为对象,首先测试了不同温度下的转移和输出特性,获取了温度对其阈值电压、跨导、导通电阻和内栅极电阻的影响规律,接着基于所得...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 通过理论分析与数值仿真的方法对具有梯度掺杂短基区的10 kV 4H-SiC光触发晶闸管(LTT)进行了研究.短基区的施主杂质呈梯度分布,未耗尽时会在纵向产生感生电场,使短基区的少子输运从单一...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)过短的短路承受时间增大了短路保护的难度,传统退饱和法较长的检测时间容易对SiC MOSFET造成严重冲击.印制电路板(PCB)罗氏线圈高带宽...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 介绍偏晶向4H-SiC衬底上化学气相沉积(CVD)外延生长及其竞位掺杂方法,使用“热壁”CVD外延生长系统,在4英寸4°偏角n+型4H-SiC衬底上进行了p型4H-SiC外延层及p型绝缘栅双...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 针对碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在100 kHz低频(LF)功放应用中出现的串扰问题,考虑SiC MOSFET寄生参数分阶段研究串扰过程,分析关键参数对串扰电...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 提出一种电流源型智能化抗电磁干扰(EMI)的有源中压栅极驱动电路,该驱动电路采用传统驱动芯片集成设计而来,不仅可提供先进的栅极驱动,且具备隔离保护和状态监测功能.采用15 kV中压SiC绝缘...
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12. GaN功率开关器件的产业发展动态刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 氮化镓(GaN)功率电子器件具有优异的电学特性,在高速、高温和大功率领域具有十分广阔的应用前景,满足下一代功率管理系统对高效节能、小型化和智能化的需求.P型栅和Cascode结构的常关型Ga...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： A comprehensive review on the current status and prospects of vertical gallium nitride (GaN) po...
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14. 增强型GaN功率器件及集成技术刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 针对氮化镓(GaN)功率器件的研制,采用栅区域势垒层减薄技术及p-GaN栅结构,分别研制了阈值电压2V以上、击穿电压1 200V以上的凹槽栅结构和阈值电压1.1V、击穿电压350 V以上、输...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 针对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)电力电子器件应用面临的挑战,从阈值电压回滞效应、电流崩塌效应和增强型的实现等进行讨论.在GaN表面沉积Si3N4前进行原位氮(N)等离子体处...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 绝缘栅氮化镓(GaN)基平面功率开关器件是下一代GaN功率电子技术的最佳选择.在此从Si基GaN金属绝缘体(氧化物)半导体(MIS/MOS)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件面临的界面态和增...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 以Si材料为基础的传统电力电子功率器件已逐步逼近其理论极限,难以满足电力电子技术高频化和高功率密度化的发展需求.与传统的Si器件相比,氮化镓(GaN)器件展现了其在导通电阻和栅极电荷上的优势...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： GaN晶体管相对于MOSFET器件有更小的导通电阻和栅电荷,在高速、高功率密度应用中独具优势.但增强型GaN器件存在自身独特的物理特性,包括最大栅压限制、阈值电压偏低和存在反向导通电压等.因...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 40 years ago,there was a revolution in power converter efficiency,density,size and cost,with th...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 选择合适的电子封装材料对充分发挥半导体器件的性能有着十分重要的影响.详细概述了电力电子器件,尤其是宽禁带电力电子器件的高温可靠封装关键材料的研究进展及发展趋势,并对其发展前景进行了展望.其中...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 目前,采用Si上生长氮化镓(GaN)材料这一技术路线制备功率电子器件,已成为业界共识.而这一技术路线最大的挑战就是Si衬底GaN外延生长应力调控、高耐压和导通电阻稳定性控制技术.成功地制备了...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 针对光伏逆变器产生的辐射电磁干扰(EMI)噪声,提出了基于近场测试和近场波阻抗的辐射噪声源诊断方法;分析了因大功率电力线串扰和传输阻抗失配引起的辐射噪声机理,以及噪声传输路径;设计基于串扰扼...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 针对四象限脉冲整流器,提出一种电压外环加电流内环的控制算法,详细介绍了该算法中基于d,q坐标系的有功无功电流解耦控制和基于广义二阶积分(SOGI)的单相锁相环技术.仿真和实验结果均证明该算法...
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24. 双馈电机无速度传感器控制算法研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 为解决电网不对称条件下,双馈电机转速、转子位置估算不准确问题,从而解决无速度控制算法无法工程化应用问题,提出一种基于比例积分谐振(PIR)闭环控制器的自适应控制器的无速度传感器控制算法.分析...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 理想DC/DC变换器建模因忽略寄生参数影响,仿真结果与实际电路存在较大偏差.主要讨论在电感和电容高频寄生电阻条件下,基于电路平均法建立非理想Boost变换器小信号数学模型.对于寄生参数的存在...
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26. 对等结构的微网逆变器控制策略研究刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 针对对等结构微网,采用一种分层控制策略.微网逆变器在孤岛和联网运行模式下均采用下垂控制,发生孤岛时无需改变控制算法;通过虚拟阻抗控制算法能重塑线路阻抗,提高功率解耦度,并在抑制电压谐波方面具...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 分布式串联补偿装置通过变压器原理,将串联电抗耦合到初级回路,通过改变次级的电抗值实现串联补偿的功能.主变压器作为装置最主要的功率转换器件,其功率输出特性将直接决定整个装置的功率密度和发热问题...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 建立LCL滤波的三相脉宽调制(PWM)整流器的数学模型,对于直接功率控制(DPC)的开关频率不固定以及LCL滤波器引入的谐振问题,构造功率外环电流内环的双环控制结构;提出一种新型DPC策略,...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 低压配电网中,通常使用静止同步补偿器(DSTATCOM)补偿无功功率和不平衡负载造成的负序电流,针对DSTATCOM具有强耦合、多变量、非线性特性,提出一种综合滑模控制、状态反馈精确线性化和...
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刊名： 电力电子技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 对比不同电网电压发生器拓扑结构,分析各拓扑结构优缺点,设计了一种单相级联型电压发生器拓扑.根据此拓扑结构原理建立其数学模型,在分析数学模型的基础上推导出了双电压环控制系统:有效值外环、瞬时值...
电力电子技术基本信息
| 刊名 | 电力电子技术 | 主编 | 吕庆敏 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 西安电力电子技术研究所 | 主管单位 | 西安电力电子技术研究所 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1000-100X | CN | 61-1124/TM |
| 邮编 | 710061 | 电子邮箱 | dldzjstg@163.com |
| 电话 | 029-85271823 | 网址 | www.dldzjs.com |
| 地址 | 西安朱雀大街94号 |
电力电子技术评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 中国科学引文数据库 |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 获中国科技核心期刊 |
| 2. | 获中文核心期刊 |
| 3. | 获学位与研究生教育中文重要期刊 |
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