电子与封装期刊
出版文献量(篇)
3006
总下载数(次)
24
总被引数(次)
9543

电子与封装

Electronics and Packaging

影响因子 0.2463
本刊是目前国内唯一以电子封装为主的技术刊物。
主办单位:
中国电子科技集团公司第五十八研究所
ISSN:
1681-1070
CN:
32-1709/TN
出版周期:
月刊
邮编:
214035
地址:
江苏无锡市惠河路5号(208信箱)
出版文献量(篇)
3006
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9543
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  • 作者: 刘金刚 尹志华 左立辉 杨士勇 袁向文
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  1-6
    摘要: 正性光敏聚酰亚胺(p-PSPI)是一类重要的集成电路(IC)封装材料,广泛用于IC器件的应力缓冲、表面钝化以及层间绝缘.与传统的负性光敏聚酰亚胺(n-PSPI)相比,p-PSPI无论在光刻精...
  • 作者:
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  6,39,45-48
    摘要:
  • 作者: 李志彭 程秀兰 高翔
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  7-9
    摘要: 在重掺砷(As)衬底上生长外延层一直是外延工艺难点.外延工艺过程中由于衬底的掺杂浓度与外延层的掺杂浓度相差很大,自掺杂与固态外扩散现象严重,使得外延过渡区变宽,工艺很难控制.在确保外延层晶格...
  • 作者: 关荣锋 王杏 田大垒 赵文卿
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  10-12,16
    摘要: 大功率LED器件的结温是其热性能的重要指标之一,温度对LED的可靠性产生重要的影响.采用板上封装的方法,利用大功率芯片结合金属基板封装出了大功率白光LED样品,利用LED光强分布测试仪测试了...
  • 作者: 朱卫良 陆坚
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  13-16
    摘要: 集成电路的抗ESD能力主要是通过端口的保护结构组合来实现,如何评价保护结构自身的抗ESD能力,被广大的设计人员所越发重视.文章主要介绍一种新型的集成电路ESD保护结构的抗ESD能力测试方式-...
  • 作者: 万颖 易峰
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  17-19
    摘要: ESD保护电路已经成为集成电路不可或缺的组成部分,如何避免由ESD应力导致的保护电路的击穿已经成为CMOS IC设计过程中一个棘手的问题.光发射显微镜利用了IC芯片失效点所产生的显微红外发光...
  • 作者: 李亮 林武平 郭良权 黄召军
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  20-23,26
    摘要: 文章在CSMC 0.5 μm/5V硅CMOS工艺模型下,设计了一种用于电表计量芯片的全差分运算放大器.该运放采用两级结构,其中第一级为折叠式共源共栅结构,第二级为PMOS输出缓冲结构.文章采...
  • 作者: 王征宇 章少云
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  24-26
    摘要: 在LCD显示器件广泛发展与应用的今天,LCD控制驱动电路作为液晶显示器的重要部件,需求量也日益增大.从而使得对LCD控制驱动电路的测试成为液晶显示效果的必然保证.点阵式LCD控制驱动电路的测...
  • 作者: 华丞 张键 杜迎 蔡荭 黄斌
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  27-30
    摘要: 文章从电路参考点的角度考虑出发,分别介绍了四种不同的接地方式.单点接地是将所有的地连在一点,没有共阻抗耦合和低频地环路的问题;多点接地是通过许多短线连接起来,可以减少地阻抗产生的共模电压;混...
  • 作者: 王虹麟 罗浩平
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  31-35
    摘要: 随着半导体芯片的特征尺寸从微米量级向纳米量级挺进,半导体的量子效应现象显现.文章阐述了半导体器件中的量子尺寸效应、隧道效应、干涉效应等量子效应的种类以及利用这些量子效应制作的量子点器件、谐振...
  • 作者: 徐宁
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  36-39
    摘要: 电子节目菜单(Electromic Program Guide,EPG),即电子版的未来节目索引.EPG的主要作用就是用户利用EPG提供的菜单,选择自己喜欢的组播频道,点播自己喜欢的视频节目...
  • 作者: 肖力 赵莹
    刊名: 电子与封装
    发表期刊: 2008年12期
    页码:  40-44
    摘要: 未来全球半导体90nm、65nm和45nm技术进入量产,其芯片尺寸缩小40%、功耗减少30%、速度加快20%.酷睿Ⅱ4核CPU芯片的晶体管已达到8.2亿只.动态存储器将发展到DDR3,其容量...

电子与封装基本信息

刊名 电子与封装 主编 王虹麟
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第五十八研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1681-1070 CN 32-1709/TN
邮编 214035 电子邮箱 ep.cetc58@163.com
电话 0510-85860386 网址 www.ep.org.cn
地址 江苏无锡市惠河路5号(208信箱)

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