重掺砷衬底外延工艺研究

• 作者: 李志彭 程秀兰 高翔
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 外延 固态外扩散 自掺杂 多晶硅背封 二步外延
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 7-9
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2370字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2008.12.002

摘要

在重掺砷(As)衬底上生长外延层一直是外延工艺难点.外延工艺过程中由于衬底的掺杂浓度与外延层的掺杂浓度相差很大,自掺杂与固态外扩散现象严重,使得外延过渡区变宽,工艺很难控制.在确保外延层晶格结构完整,表面质量完美的前提下,适当增加外延生长速率,降低外延生长温度可减小自掺杂与固态外扩散的影响.结合多晶硅背封法、二步外延法等对工艺过程进行优化,可有效抑制自掺杂现象从而提高外延片的质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程秀兰	上海交通大学微电子学院	48	205	5.0	12.0
2	高翔	上海交通大学微电子学院	19	104	3.0	10.0
3	李志彭		1	3	1.0	1.0