重掺硅衬底片的内吸除效应

• 作者: 刘彩池 张建峰 张建强 张红娣 李养贤 郝秋艳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 重掺杂硅单晶 热处理 内吸除
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 781-783
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 1623字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.019

摘要

本文研究了重掺p型(B)和重掺n型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应.发现在本实验条件下,经过改进的内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现了氧沉淀增强现象,但不同掺杂剂的重掺硅单晶中氧沉淀形态不同.且发现砷增强了硅片近表层区氧的外扩散.在相同的热处理条件下,不同掺杂剂的重掺硅清洁区宽度不同,重掺硼硅片的清洁区最窄,重掺砷的最宽.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
2	郝秋艳	河北工业大学信息功能材料研究所	37	179	9.0	12.0
3	张红娣	河北工业大学信息功能材料研究所	3	56	2.0	3.0
4	张建强	河北工业大学信息功能材料研究所	6	7	1.0	2.0
5	李养贤	河北工业大学信息功能材料研究所	51	362	12.0	17.0
6	张建峰	河北工业大学信息功能材料研究所	3	7	2.0	2.0