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人工晶体学报2008年第1期出版文献

出版文献量（篇）

7423

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人工晶体学报

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Journal of Synthetic Crystals

CA JST CSTPCD

影响因子 0.5027

本刊报道我国在半导体材料、光电子材料、纳米材料、薄膜材料和超硬材料等领域在理论研究、生长技术、性能、品质鉴定、原料制备，以及应用技术和加工等方面的科研成果，同时介绍国内外晶体材料的发展动态与学术交流活动。学报是我国从事人工晶体研究人员与国外同行交流的一个重要窗口。

主办单位：

中材人工晶体研究院有限公司

期刊荣誉：

1987年获优秀编辑二等奖 1989年获优秀期刊奖 1997年获全国第二届优秀科技期刊奖

ISSN：

1000-985X

CN：

11-2637/O7

出版周期：

月刊

邮编：

100018

地址：

北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱

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热门刊内文献

年度刊次

1. 硫镓银晶体活化能研究

作者：何知宇吴小娟朱世富袁泽锐赵北君陈宝军雷勇波

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 1-4

摘要：本文利用差示扫描量热法对硫镓银进行了热分析动力学研究.采用动态多重扫描速率法测试了AgGaS2在三个不同升温速率5K/min、10K/min和15K/min下的DSC曲线,得到一系列动力学参...
2. 可主动控制的被动调Q激光器的研究

作者：何书芳段玉生霍玉晶

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 5-10

摘要：可主动控制的被动调Q激光器(Controllable Passively Q-switched Lasers, CPQL)是一种新型脉冲激光器,它兼具主动调Q与被动调Q的优点.CPQL激光器...
3. 生长温度对KDP晶体光学性质影响的研究

作者：叶李旺庄欣欣李征东苏根博郑国宗

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 11-14,28

摘要：用降温法在不同的温度下快速生长KDP晶体,并测量其透过光谱、光学均匀性、金属杂质含量和光散射性能.结果表明随着生长温度的提高,KDP晶体的紫外光吸收和光散射点密度明显降低,但均匀性和杂质金属...
4. 电极耦接变化对分子器件电子输运特性影响的研究

作者：塚田捷李勇王利光田上胜规郭良陈蕾

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 20-24

摘要：利用基于Green函数的 Tight-binding 理论,对phenalenyl构成的单分子器件电极耦接点变化情况下的电子输运特性进行了研究.通过理论计算,得出了分子与原子线电极间接点变化...
5. 铜掺杂类金刚石纳米点阵列的制备及场发射性能研究

作者：刘洋崇二敏张鹏举李春李晓春范晓彦闫鹏勋

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 29-32

摘要：利用磁过滤等离子体结合氧化铝模板(AA0)技术在室温下制备了具有优异场发射性能的铜掺杂类金刚石(DLC)纳米点阵列.微观分析表明,铜掺杂类金刚石纳米点阵列分布均匀,密度高达109cm-2;利...
6. 掺铒近化学计量比铌酸锂晶体的生长与光谱性质

作者：刘宏吴剑波姚淑华王继扬秦小勇高磊

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 33-36,87

摘要：利用提拉法,在富锂熔体中生长了质量良好的掺铒近化学计量比铌酸锂单晶,生长的晶体尺寸为35×25mm,测量了晶体的室温吸收谱,并根据Judd-Ofelt理论,拟合出晶体场唯象强度参数:Ω2＝...
7. CVD金刚石钝头体飞行温度场仿真研究

作者：左敦稳徐锋李多生韩荣耀

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 37-42,87

摘要：建立了CVD金刚石厚膜钝头体在飞行条件下的温度场有限元仿真模型,得出了钝头体头罩内壁的传热条件以及飞行马赫数等对温度场的影响.将流场全局最高温度值的仿真结果与计算流体力学中滞止温度理论公式的...
8. 铁镍触媒合成的金刚石中包裹体的探讨

作者：周林秦杰明贾晓鹏郑友进马红安

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 49-51

摘要：在FeNi+C体系中合成了具有六面体、六八面体、八面体形状的金刚石单晶,晶形完整,包裹体较少.其中,六面体和八面体金刚石内部的包裹体呈辐射状分布,主要分布在从晶体几何中心到顶角的连线上;六八...
9. AgGa1-xInxSe2晶体退火改性研究

作者：万书权何知宇徐承福朱世富朱伟林赵北君赵国栋陈宝军黄毅

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 52-55

摘要：采用改进布里奇曼法生长出外观完整的AgGa1-xInxSe2(x=0.2)单晶锭,晶体的红外透过率低,不能直接用于红外非线性光学器件制备.采用TA公司生产的SDTQ-600热分析仪进行DSC...
10. LHPG法生长单晶光纤中熔区生长界面对消除气泡的影响

作者：沈剑威沈永行王迅

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 60-64

摘要：采用激光加热基座法(LHPG法)生长的单晶光纤一般具有较好的表面光学质量,但单晶光纤在生长过程中常产生包裹气泡.该类气泡的存在将严重劣化光纤的性能.由于其产生原因复杂,多年来一直没有有效的消...
11. Ce:KNSBN晶体中调制光耦合研究

作者：张金平李盼来梁宝来王志军邓泽超郭庆林

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 65-69

摘要：采用非同时读出条件下晶体两波耦合实验装置,在入射光调制下,研究了调制频率对Ce:KNSBN晶体两波耦合有效增益(G)的影响,结果显示G随调制频率的增大先增大后减小,但入射光波长不同时,G最大...
12. HfO2薄膜反应磁控溅射沉积工艺的研究

作者：吕反修张树玉杨海王宏斌苏小平贺琦

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 70-75

摘要：采用纯铪(Hf)金属靶,在氧和氩反应气氛中进行了HfO2薄膜反应磁控溅射沉积,研究了电源功率、O2/Ar比例和工作气压对薄膜组成及薄膜沉积过程的影响.对制备的HfO2薄膜进行了退火处理,利用...
13. 衬底温度对电子辅助增强化学气相沉积金刚石膜的影响

作者：尚勇李盼来李红莲王志军董丽芳

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 76-82

摘要：本工作采用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法,对以CH4/H2为源气体的电子助进化学气相沉积(EACVD)金刚石薄膜的气相动力学过程进行了模拟.提出了衬底温度的空间梯度变化模型,研究了衬...
14. 射频磁控溅射工艺制备二氧化钒薄膜

作者：卫红唐振方张正法赵健

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 88-92

摘要：以V2O5陶瓷烧结靶材及射频磁控溅射工艺制备V2O5薄膜,再经氩气气氛退火处理得到VO2薄膜.采用扫描电子显微镜观察不同制备条件下薄膜表面微观形貌特征,拉曼光谱和X射线光电子能谱用来分析确定...
15. 水平磁场下硅熔体的有效粘度

作者：刘彩池张雯徐岳生王海云石义情

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 93-96

摘要：用钕铁硼(NdFeB)永磁材料构建"魔环"结构的永磁体,向直拉硅生长的熔体所在空间引入磁感应强度,采用回转振荡法测量不同磁场强度下硅熔体的磁粘度(有效粘度).在温度一定时,粘度随着磁场强度的...
16. PECVD低温制备微晶硅薄膜的研究

作者：卢景霄吴芳王海燕郜小勇陈永生马康

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 97-101

摘要：实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上制备了微晶硅薄膜.研究了氢稀释比、衬底温度、射频功率等因素对薄膜晶化的影响,得出在一定范围内随着衬底温度的升高、射频功率和氢稀释比...
17. 粉末法合成人造金刚石技术的研究与应用

作者：周连科

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 109-113

摘要：目前,工业人造金刚石的合成是在高温高压条件下通过触媒作用将碳元素的排序由石墨结构转变成金刚石结构.传统的片状合成技术成本高,转化率低,已逐步被先进的粉末合成技术取代.粉末合成技术解决了原材料...
18. Cu-32Mn-8Ti预合金粉末与金刚石颗粒的界面反应

作者：南俊马徐可为袁洁赵宁

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 124-128

摘要：采用自制Cu-32Mn-8Ti预合金粉末为粘合剂,在低真空钎焊条件下制备了金刚石复合材料.利用扫描电镜、能谱仪、X射线衍射仪等研究预合金粉末与金刚石颗粒界面反应.结果表明,在试验条件下,胎体...
19. Nd:LuVO4晶体的红外、拉曼光谱和热学特性

作者：冉栋刚吕英波夏海瑞张怀金王继杨赵守仁

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 134-140

摘要：利用商群对称分析法分析了Nd:LuVO4晶体的晶格振动模分类,测量了Nd:LuVO4晶体的红外光谱和拉曼光谱,从测定的谱线中指认了该晶体的振动模,理论与实验符合良好.测量了Nd:LuVO4晶...
20. 新型铝硅酸盐磷光体的结构及性能研究

作者：刘保生刘红梅杨国忠王德龙翟永清

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 141-146

摘要：以凝胶燃烧法在相对较低温度下合成了长石型的蓝白色长余辉材料Sr0.94Al2Si2O8:Eu2+0.02,Dy3+0.04,并用X射线粉末衍射(XRD)、荧光分光光度计(FL)以及扫描电子显...
21. 自然掺杂p型ZnO薄膜的螺旋波等离子体辅助溅射沉积

作者：于威傅广生张丽张锦川杨丽华许贺菊

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 151-155

摘要：本工作通过调整工作气压,采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术在Al2O3衬底上成功的制备了自然掺杂的p型ZnO薄膜.Hall测量显示在Ar/O2等离子体辅助下,随气压增加所沉积薄膜表现出从...
22. 配合物[Co(phendione)(SO4)(H2O)]·5H2O的合成及表征

作者：孙妩娟葛红光许琼赵蔡斌郭小华

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 167-169,166

摘要：在水和甲醇的混合液中合成了标题配合物[Co(phendione)(SO4)(H2O)]·5H2O (phendione=1,10-菲啰啉-5,6-二酮),通过元素分析,红外光谱和热分析对配合...
23. 二次加热法制备单分散性CoFe2O4纳米晶及其磁性研究

作者：付乌有刘冰冰杨海滨范文华邹广田

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 170-173,178

摘要：本文分别以CoCl2·6H2O,FeCl3·6H2O,NaOH为原料,利用N(CH3)4OH (四甲基氢氧化铵)作为改性剂,对CoFe2O4纳米颗粒进行原位表面改性,采用二次加热法,制备单分...
24. 配合物[Co(SCN)2(HSCN)2(dabco)2]的合成、晶体结构与表征

作者：梁亚男王延吉程庆彦钱春苹高玲

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 183-187

摘要：以SCN-和三乙撑二胺(dabco)为配体,以钴为中心离子采用自组装的方法合成了配合物[Co(SCN)2(HSCN)2(dabco)2],采用单晶X射线衍射、红外光谱、热重分析和元素分析等方...
25. 玻璃基片表面纳米结构氧化锆聚集体组装的SEM研究及其机理初探

作者：宋秀芹高林

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 198-202

摘要：以纳米粒子为基组装的有序结构体系,既具有纳米小颗粒本身的性质,同时通过纳米粒子之间、纳米粒子与基体界面的耦合,有望产生新的效应.本文利用含有双亲分子的反胶团微乳体系,人为处理基底提供活性点模...
26. 掺Cd对ZnO薄膜光学性能的影响

作者：戴丽萍邓宏陈航陈金菊韦敏

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 213-217

摘要：采用溶胶-凝胶法在石英玻璃上制备了不同掺Cd浓度的ZnO薄膜.X射线衍射(XRD)结果表明,所制备的薄膜具有c抽择优取向,随着Cd掺杂浓度的升高,(002)峰向低角度方向移动.UV透射曲线表...
27. 微波均相沉淀法制备YAG透明陶瓷

作者：姜奉华张晓琳徐红燕李保平王介强

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 224-228

摘要：以Al(NO3)3和Y(NO3)3为母盐,尿素为沉淀剂,添加适量(NH4)2SO4,采用微波均相沉淀法合成YAG前驱体,经1100℃煅烧得到活性高、分散性好的YAG纳米粉体,添加适量TEOS...
28. 表面活性剂对钨酸铅低维粉体形貌的影响

作者：刘越华曹树梁杨玉国王卓许建华

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 240-242

摘要：以钨酸钠和醋酸铅为原料,分别加以表面活性剂聚乙二醇200和十六烷基三甲苯溴化铵,用沉淀法合成出钨酸铅纳米晶和菱形微晶.对样品进行X射线分析,结果显示样品结晶良好.对样品进行透射电子显微镜分析...
29. 一维光子晶体结构参数的随机扰动对其光学特性的影响

作者：方云团

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 243-247

摘要：用特征矩阵法研究结构参数存在随机扰动的情况下一维光子晶体的光学特性, 无论是加工过程中介质层几何厚度的误差, 还是介质层折射率的随机波动都会影响一维光子晶体的光学特性.随机扰动对一维光子晶体...
30. 大尺寸系列孔隙度高强人造岩芯的研制

作者：业渝光夏光华虞澎澎魏恒勇

刊名：人工晶体学报

发表期刊： 2008年1期

页码: 248-251,108

摘要：采用矾土、氧化铝与硬质碎瓷粒为骨料, 选用硅溶胶、高岭土、煅烧滑石和方解石组成的MgO-CaO-Al2O3-SiO2低共熔混合物作为晶界结合剂,以木屑和煤粉为造孔剂,利用浇注成型技术制备出大...

人工晶体学报基本信息

刊名	人工晶体学报	主编	张伟儒
曾用名
主办单位	中材人工晶体研究院有限公司	主管单位	中国建筑材料联合会
出版周期	月刊	语种	chi
ISSN	1000-985X	CN	11-2637/O7
邮编	100018	电子邮箱	jtxbbjb@126.com
电话	010-65491290 ;65492963	网址	www.jtxb.cn
地址	北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院，北京733信箱