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微纳电子技术2002年第4期出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 综述了两类纳米电子器件--固体纳米电子器件和分子电子器件的定义、分类方法及特点,并提出发展纳米电子器件的几点建议.
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 设计了点接触平面栅型硅单电子晶体管,利用自对准技术实现了点接触平面栅,并通过给平面栅施加偏压实现了量子点.讨论了点接触平面栅型单电子晶体管与其通道宽度和平面栅上电压的关系.对一个具有70nm...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 基于库仑阻塞效应和量子尺寸效应工作的单电子晶体管(SET)由于具有超小器件尺寸、超低功耗、超低工作电流和超高工作频率等特点,受到人们的重视和深入研究.本文通过简要介绍SET的器件结构、原理和...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 阐述了金属氧化物SnO2纳米薄膜研究的发展情况及其应用前景,介绍了采用磁控溅射技术,使用混合气体Ar和O2,在衬底温度为150～400℃的耐热玻璃基片上制备了纳米晶SnO2:Sb透明导电薄膜...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 利用硅-SiO2复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅量不同的SiO2薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火.利用X射线光电子能谱,对刚淀积的样品进行了分析,结果表明三种样品都存在纳米硅粒子....
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6. 碳纳米管及其制备技术刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 介绍了碳纳米管及其制备技术的国内外最新研究进展,分析了碳纳米管材料的研究现状,并对碳纳米管材料未来的发展方向进行展望.
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 随着MEMS在各个领域的运用,人们也开始探讨低成本、操作方便的LIGA工艺.本文重点介绍了一种用于深紫外光深度光刻实验装置的设计,并将该实验装置成功地应用于LIGA工艺的深度光刻中,光刻实验...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 详细阐述了一种微型电磁继电器的设计和初步研制过程.该微继电器主要由电极、悬臂梁结构和电磁线圈组成.设计过程中考虑了微继电器打开、闭合时电磁力、静电力和悬臂梁回复力之间的制约关系,即微继电器打...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 具有角度限制的电子束投影曝光技术有可能成为21世纪最有潜力的纳米光刻技术之一.通过配备缩小投影透镜、掩模承片台、基片工作台和控制用计算机,我们将一台透射电子显微镜(TEM)改造成一台用于电子...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2002年4期页码:摘要： 介绍了用电子束直写技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅和T形栅的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用.
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
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| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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