RF磁控溅射技术制备纳米硅

• 作者: 吴正龙 宗婉华 秦国刚 衡成林 马振昌
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 纳米硅晶粒 富硅SiO2薄膜
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 22-24，29
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1773字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2002.04.005

摘要

利用硅-SiO2复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅量不同的SiO2薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火.利用X射线光电子能谱,对刚淀积的样品进行了分析,结果表明三种样品都存在纳米硅粒子.使用高分辨率透射电子显微镜和电子衍射技术研究了退火后样品中纳米硅粒子析出和结晶情况,富硅量较大的两种SiO2薄膜都观测到纳米硅晶粒.统计结果表明:复合靶中硅组分从20%增加到30%,纳米硅晶粒的平均尺寸增加了15%、密度增加了2.5倍,而且随着退火温度从900℃增加到1100~C,纳米硅晶粒的平均尺寸和密度都明显增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	衡成林	北京大学物理系	3	4	1.0	2.0
2	秦国刚	北京大学物理系	20	128	6.0	10.0
3	吴正龙	北京师范大学测试分析中心	41	276	7.0	15.0
4	马振昌		2	5	1.0	2.0
5	宗婉华		2	5	1.0	2.0