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微纳电子技术期刊
出版文献量（篇）
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16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名： 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
总被引数（次）
16974
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  • 1. GaN固体兴源的进展
    作者： 张万生 赵彦军
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  1-5
    摘要： 以GaN为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础,是信息产业前进的发动机,同时有可能改变人类照明光源的技术现状.本文对GaN固体光源的起源和发展做了回顾和展望,并给出...
  • 2. Ⅲ族氮化物基发光二极管制造工艺
    作者： 叶志镇 顾星
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  6-9
    摘要： Ⅲ族氮化物是近年来半导体发光器件研究领域中的热点.由于InN,GaN,AlN及由其组成的连续变化固溶体合金所构成的半导体微结构材料,具有宽禁带宽电子漂移饱和速度高、介电常数小及导热性能好等特...
  • 3. AlGaN/GaN基HEMT器件的研究进展
    作者： 叶志镇 李蓓 邵庆辉
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  10-13,16
    摘要： 由于AlGaN具有高的击穿电场(3 MV/cm,是GaAs的7.5倍),且在AlGaN/GaN异质结处存在高浓度的极化诱导二维电子气,AlGaN基高电子迁移率晶体管是目前最适合应用于微波大功...
  • 4. InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点发光性质的影响
    作者： 叶小玲 孟宪权 张子旸 徐波 曲胜春 李成明 王占国 金鹏
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  14-16
    摘要： 系统研究了InAlAs/InGaAs复合限制层对InAs量子点光学性质的影响;发现InAs量子点的基态发光峰位、半高宽以及基态与第一激发态的能级间距都强烈地依赖于InAlAs薄层的厚度和In...
  • 5. 碳化硅材料发光特性研究进展
    作者： 孙海波 李玉国 王强 石礼伟
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  17-22
    摘要： 碳化硅作为一种优秀的微电子材料,在高频、高温、大功率、强辐射环境中颇具应用潜力.然而由于其间接带隙的特点,碳化硅LED不能像氮化镓、磷化镓LED那样有效发光,因此人们竞相研究能提高碳化硅发光...
  • 6. PWM数字微型加速度计摆片温度应力研究
    作者： 田文超 贾建援
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  23-26
    摘要： 针对微加速度计摆片废品率高的问题,从摆片的加工工艺,分析了PWM数字微加速度计温度应力对摆片刚度的影响;发现当摆片工作在不同状态,在某些加工温差段,摆片的刚度出现奇异值,摆片变形已不再满足小...
  • 7. 电致伸缩/压电微尺度智能结构的伽辽金方法
    作者： 崔舒宁 张元冲 高海昌
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  27-33
    摘要： 在微纳米尺寸的智能结构中,电致伸缩(PMN-PT)/压电(PZT)材料有着广泛的应用前景[1,2].本文基于哈密顿变分原理,得到PMN-PT/PZT微尺度梁的智能结构系统运动方程的弱形式.采...
  • 8. 深亚微米集成工艺仿真系统TSUPREM-4的功能及应用
    作者： 徐永勋 李惠军
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  34-38
    摘要： 介绍了TSUPREM-4集成电路工艺仿真系统的主要仿真功能及系统的深亚微米模型.以LDD结构的NMOS器件为例进行了二维工艺仿真,得到了NMOS器件的二维剖面结构、杂质浓度的等值分布描述以及...
  • 9. 电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用
    作者： 刘玉贵 江泽流 王维军 罗四维
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  39-41
    摘要： 介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合...
  • 10. 纳米工艺技术进程
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  42-43
    摘要：
  • 11. 纳米器件与检测工具
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  43-44
    摘要：
  • 12. 纳米技术与生物医学
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  44-45
    摘要：
  • 13. 纳米材料产业与市场
    作者：
    刊名： 微纳电子技术
    发表期刊： 2003年2期
    页码:  45-47
    摘要：

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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