AlGaN/GaN基HEMT器件的研究进展

• 作者: 叶志镇 李蓓 邵庆辉
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN GaN HEMT 二维电子气
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 10-13,16
• 页数: 5页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 1240字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2003.02.003

摘要

由于AlGaN具有高的击穿电场(3 MV/cm,是GaAs的7.5倍),且在AlGaN/GaN异质结处存在高浓度的极化诱导二维电子气,AlGaN基高电子迁移率晶体管是目前最适合应用于微波大功率放大领域的器件.着重对影响高频大功率AlGaN/GaN性能的材料结构和器件制作进行了阐述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	李蓓	浙江大学硅材料国家重点实验室	8	51	4.0	7.0
3	邵庆辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	5	27	3.0	5.0