微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 张邦维
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  113-120
    摘要: Si MOS晶体管进入nm尺度后,原来通用的栅极介电材料SiO2已不能适应纳米晶体管继续小型化的需要,必须用高k栅极电介质材料取而代之.对Si纳米晶体管为什么要采用高k栅极电介质材料、此类材...
  • 作者: 杜江峰 杨谟华 罗谦 赵子奇 靳翀
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  121-124
    摘要: 针对GaN HEMT电流崩塌物理效应,测试了各种条件下器件I-V特性.发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23.8%,且随着栅脉冲宽度减小或周期增大而下降,并且获得了其输出电流与脉冲宽...
  • 作者: 宋颖娉 沈光地 艾伟伟 董立闽 郭霞
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  125-129
    摘要: 研究了用Cl2/BCl3刻蚀GaN基LED中,工艺参数对GaN刻蚀速率、刻蚀侧壁和GaN与SiO2刻蚀选择比的影响.研究结果表明,刻蚀速率随着ICP功率和压强的增大先增大继而减小,随RF功率...
  • 作者: 刘之景 郑楠
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  130-134
    摘要: 着重阐明了偶氮聚合物光存储纪录的原理,分析了其双折射特性的微观机制,介绍了该课题近年来实验和理论上的最新进展,对这一充满希望和挑战的多学科交叉研究专题作了展望.
  • 作者: 沈海军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  135-137,158
    摘要: 采用分子动力学方法,分别对管芯没有填充和填充了H2O或Ne分子的纳米碳管振荡器的振荡进行了模拟.根据计算结果,讨论了H2O或Ne分子填充对碳管振荡器振幅衰减、振荡频率等振荡性能的影响.研究表...
  • 作者: 冯海 叶梅 叶虎年 林伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  138-140,149
    摘要: 根据压电陶瓷致动器对其驱动电源的要求,利用高压运放设计研制了一种新型的驱动电源,通过对压电驱动器的实验研究表明,其具有精度高、性能稳定、分辨率高、纹波小和电路结构简单等优点,能够满足微定位系...
  • 作者: 丁建宁 杨继昌 王权 程广贵
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  141-144,149
    摘要: 微/纳机电系统(MEMS/NEMS)技术的发展,大大促进了航空航天领域飞行器的微型化.依据量子理论,有效提取真空中的零点能,并以此作为驱动能源,可以解决微型飞行器由于必须携带燃料而增加重量等...
  • 作者: 于虹 宋震煜
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  145-149
    摘要: 当MEMS谐振梁的尺寸进一步缩小到nm量级时,实验表明在外部激励的作用下,器件运动状态更容易从线性区进入到非线性区.考虑纳米梁的轴向非线性伸长因素,利用连续体弹性理论建立了物理模型,并利用该...
  • 作者: 张远明 蒋华 袁承超 陈云飞 陈益芳
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  150-153
    摘要: 利用YAG脉冲激光在n型硅基底上制备出了铜化学镀薄层,由激光剥离形成的微型图元通过化学镀铜工艺在硅基底上形成铜的微型结构.在化学镀工艺过程中为了使得化学镀铜沉积能够连续进行,要对基底表面先进...
  • 作者: 刘玉岭 尹睿 张建新 李薇薇
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  154-158
    摘要: 针对常见的低k介质材料分析了其化学机械全局平坦化的机理,并进一步探讨了低k介质化学机械抛光中包括压力、磨料、pH值和温度在内的几个因素对于抛光速率和表面状态等方面的影响.
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2006年3期
    页码:  159-160
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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