Cl2/BCl3 ICP刻蚀GaN基LED的规律研究

• 作者: 宋颖娉 沈光地 艾伟伟 董立闽 郭霞
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 感应耦合等离子体刻蚀 GaN 刻蚀速率 选择比 垂直度
• 年，卷（期）: 2006,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 125-129
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.98+2|TN304.2+3
• 字数: 3671字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2006.03.003

摘要

研究了用Cl2/BCl3刻蚀GaN基LED中,工艺参数对GaN刻蚀速率、刻蚀侧壁和GaN与SiO2刻蚀选择比的影响.研究结果表明,刻蚀速率随着ICP功率和压强的增大先增大继而减小,随RF功率的增大单调增大;刻蚀选择比随ICP功率增大单调减小,随压强增大而增大.还研究了刻蚀速率和选择比与气体比例变化的关系.刻蚀SEM图表明,压强和RF功率增大会使刻蚀垂直度增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学光电子实验室	192	1444	18.0	29.0
2	郭霞	北京工业大学光电子实验室	54	397	11.0	16.0
3	董立闽	北京工业大学光电子实验室	7	30	4.0	5.0
4	宋颖娉	北京工业大学光电子实验室	6	81	4.0	6.0
5	艾伟伟	北京工业大学光电子实验室	5	77	3.0	5.0