微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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16974

微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 刘波 宋志棠 封松林
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  55-61
    摘要: 介绍了我国相变存储器的研究现状及面临的关键问题.提出了我国相变存储器的发展思路和目标:加强新型材料和器件结构等方面的基础研究,形成创新性的成果,同时加强专利战略布局;加强与国内半导体公司的合...
  • 作者: 何怡刚 彭浴辉 赵晓玲
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  62-65
    摘要: 研究了单电子晶体管的特性及主方程法,建立了基于主方程法的单电子晶体管SPICE模型,实现了对细胞神经网络单元的仿真.仿真结果表明,采用主方程法建立的单电子晶体管模型具有合理的精确度,对细胞神...
  • 作者: 严地 卢盛辉 杜江锋 罗大为 罗谦 靳翀
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  66-69,87
    摘要: 利用数值模拟仿真对GaN MESFET在栅脉冲条件下的电子温度分布进行了研究.结果表明,在器件的栅下靠近漏端一侧的沟道处电子温度最高,当栅脉冲电压为-18 V时可达6223 K,并且电子温度...
  • 作者: 宋亚勤 张元冲 徐红玉 李作良 陈殿云
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  70-76
    摘要:
  • 作者: 王峻岳 王梦魁
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  77-80,87
    摘要: 研究了CdO-SnO2-WO3系列(以下简称Cd-Sn-W)双基体两相(CdSnO3,CdWO4)结构线性敏感陶瓷的制备方法.分别给出了用化学共沉淀方法和氧化物方法所制备样品的XRD图谱,分...
  • 作者: 刘锋 杨丽萍 韩焕鹏
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  81-87
    摘要: ZnO的禁带宽度对应于紫外光的波长,可用于制作蓝绿光、蓝光、紫外光等多种发光器件.从性质、制备及应用等方面对ZnO材料进行了概述,介绍了ZnO体单晶的制备、纳米材料及p型掺杂的研究与进展.
  • 作者: 刘本东 李德胜
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  88-92,110
    摘要: 对静电驱动微继电器、热驱动微继电器和电磁驱动微继电器的驱动原理和特点分别进行了分析,介绍了国内外具有代表性的几种微继电器的结构、制作工艺、关键部件的尺寸,并探索了静电驱动、热驱动和电磁驱动微...
  • 作者: 周丽玲 梁秀萍 闫卫平
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  93-96
    摘要: 在进行Si(100)台面腐蚀时,由于硅的各向异性腐蚀特性,凸角处呈现严重切削现象.凸角侧向腐蚀程度与腐蚀深度、腐蚀温度、腐蚀剂配比等诸多因素有关.针对方形补偿结构探讨了凸角腐蚀的补偿原理,设...
  • 作者: 余勇 张春梅
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  97-100
    摘要: 介绍了用于大尺寸刀具测量的、基于面阵CCD的计算机图像刀具测量系统.基于面向对象程序设计方法,设计了刀具预调测量系统软件.详细介绍了软件的图像处理部分,功能包括边缘检测、图像分割、轮廓提取、...
  • 作者: 刘博 刘玉岭 袁育杰
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  101-105
    摘要: 介绍了ULSI多层铜互连线中的碟形坑问题,对其产生的原因及影响因素进行了分析.针对影响因素中的工艺条件,分别进行了不同压力、温度、流量的试验,得到了上述各因素对抛光速率的影响.基于上述试验结...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  105
    摘要:
  • 作者: 李晓云 牛萍娟 郭维廉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2007年2期
    页码:  106-110
    摘要: 电化学C-V(ECV)法是当前测量化合物半导体载流子浓度分布的非常重要的方法.从ECV法的原理、设备、电解液的选择以及测量精度的保证四个方面对ECV法进行了分析和总结,对于不同材料电解液的选...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

微纳电子技术统计分析

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