微纳电子技术期刊
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
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  • 作者: 李效白
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  1-9
    摘要: 阐述了谐振隧穿器件构成的与非门、单/双稳逻辑转换电路、或非门、流水线逻辑门、D触发器、静态存储器、多值逻辑和静态分频器等数字单片集成电路,它们具有高频高速、低功耗、多值逻辑、节点少、节省器件...
  • 作者: 郭维廉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  10-15
    摘要: RTD具有双稳和自锁特性,用RTD构成电路可节省大量器件,这一优点在构建多值逻辑电路(MVL RTD)时显得尤为突出.在引用"遏止"概念的基础上介绍了几种典型的MVLRTD电路,包括多幅输入...
  • 作者: 杜伟华 杨红伟 花吉珍 陈国鹰 齐志华
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  16-22
    摘要: 介绍了采用非注入电流腔面和透明窗口减小腔面电流的方法.减小腔面非辐射复合的方法包括采用高真空下解理、镀膜防止腔面氧化;采用真空等离子洗或化学气体腐蚀清除腔面氧杂质沾污.论述了合适的腔面膜系组...
  • 作者: 华宁 康雪雅 索鎏敏 韩英
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  23-28
    摘要: 以硝酸锰、氢氧化钠、氨水为原料,采用水解氧化沉淀法制备了nm级Mn3O4粉体材料.通过正交试验优化反应条件得到尺寸分布均匀,团聚程度小,颗粒分散性强的nm级Mn3O4粉体.研究了制备过程中反...
  • 作者: 喇培清 杨洋 王利 程春杰 赵阳
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  29-33
    摘要: 利用铝热反应熔化方法分别在反应物量为50、100、200 g的条件下制备了块体纳米晶Fe3Al材料,通过TEM和XRD研究了材料的晶粒尺寸,并研究了材料室温压缩性能和硬度.结果表明,所制备的...
  • 作者: 吴永杰 徐溢 曹强 曾雪 郝敦玲
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  34-40
    摘要: 综述了国内外微流控芯片介电电泳(DEP)的研究进展和介电电泳芯片的主要结构设计方案.依据芯片电极结构设计的不同,将介电电泳芯片分为阵列电极DEP芯片、抛物线电极DEP芯片、绝缘微柱DEP芯片...
  • 作者: 冯圣玉 孔祥东 张玉林
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  41-44
    摘要: 对PCR微流控芯片通道中流体的流动特性进行了分析,发现流体在横截面为圆形的通道中流动时由摩擦引起的等效水头损失及表面张力均小于微矩形通道.以此为依据,将PCR芯片微通道优化设计成圆形通道.在...
  • 作者: 万永中 刘彦伯 周伟民 宋志棠 张剑平 张挺 张静 李小丽 闵国全
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  45-49
    摘要: 采用低成本、高效率的压印技术实现了高密度相变存储器(PCRAM)存储阵列的制备,开发出Si2Sb2Te5(SST)新材料的4 G bit/inch2存储阵列,存储单元面积为0.04μm2;利...
  • 作者: 刘玉岭 宗思邈 张伟 李成珍 牛新环
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  50-54
    摘要: 阐述了蓝宝石衬底应用的发展前景及加工中存在的问题,分析了蓝宝石衬底化学机械抛光过程中pH值、压力、温度、流量、抛光布等参数对去除速率的影响.提出了采用小流量快启动的方法迅速提高CMP温度,在...
  • 作者: 于肇贤 罗晓斌
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  55-59
    摘要: 介绍了Pendry弹性散射截面,描述了电子在固体中的散射过程,包括散射步长、散射角、方位角和散射点处能量的确定,并将Pendry截面和Monte Carlo计算方法应用到电子散射过程中.分别...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  60-62
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年1期
    页码:  63-64
    摘要:
  • 作者: 唐宁 沈波 韩奎
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年2期
    页码:  65-69
    摘要: Ⅲ族氮化物材料有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一.介绍了目前两种最主要的研究AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG...
  • 作者: 刘明 李志刚 管伟华 胡媛 郭婷婷 陈军宁 龙世兵
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年2期
    页码:  70-74,90
    摘要: 介绍了在纳米晶浮栅存储器数据保持特性方面的研究工作,重点介绍了纳米晶材料的选择与制备和遂穿介质层工程.研究证明,金属纳米晶浮栅存储器比半导体纳米晶浮栅存储器具有更好的电荷保持特性.并且金属纳...
  • 作者: 冯震 宋建博 张志国 王勇 田秀伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年2期
    页码:  75-78
    摘要: 研究了AIGaN/GaN HEMT制备中相关工艺对器件肖特基特性的影响,并对工艺进行了优化.首先研究了表面处理对器件肖特基势垒特性的影响,对不同的表面处理方法进行了比较,发现采用氧等离子体处...
  • 作者: 吴巨 曾一平 朱占平 王占国 王宝强
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年2期
    页码:  79-83,98
    摘要: 用快速率(1.0 ML/s)生长MBE InAs/GaAs(001)量子点.原子力显微镜观察结果表明,在量子点体系形成的较早阶段,量子点密度N(θ)随InAs沉积量θ的变化符合自然指数形式N...
  • 作者: 唐开枚 林晓园 王太宏 陈立宝
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年2期
    页码:  84-90
    摘要: 综述了LiFePO4的晶体结构、充放电机理、电化学性能、存在问题以及纳米技术近年来在LiFePO4中应用的最新进展.纳米LiFePO4的制备方法主要有高温固相反应法、水热合成法、溶胶凝胶法、...
  • 作者: 李以贵 汪鹏 肖丽君 陈翔 陈迪
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年2期
    页码:  91-98
    摘要: 依据微流体系统中微阀的驱动机理,将微阀分为有源微阀和无源微阀两大类,然后对这两大类进行细分,将有源微阀分为压电、磁、静电驱动、热驱动、相变、双稳态、外部驱动等类型,将无源微阀分为悬臂梁式、薄...
  • 作者: 姜洪源 敖宏瑞 杨胡坤
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年2期
    页码:  99-103,114
    摘要: 为了研究在交变电场作用下,样品中的微观粒子被收集到电极表面固定区域的作用机理,通过聚苯乙烯粒子在微通道内的收集实验,得到了粒子及流体的运动规律;基于交流电场作用机理,对电极表面的电势、通道内...
  • 作者: 万敏 苏伟 陈樟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年2期
    页码:  104-107
    摘要: 采用商用有限元软件ABAQUS建立了单晶硅纳米压痕过程的2D轴对称模型,通过分析模拟得到载荷-位移曲线,讨论了压头尖端半径、压头与样品间的摩擦系数对压痕过程的影响规律.为了验证模拟结果的有效...
  • 作者: 修向前 傅德颐 刘斌 周元俊 张曾 张荣 李弋 谢自力 郑有料 韩平 顾书林
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年2期
    页码:  108-114
    摘要: 晶格参数、应力、应变和位错密度是薄膜材料的几个重要的物理量,X射线衍射(XRD)为此提供了便捷而无损的检测手段.分别从以上几个方面阐述了XRD技术在薄膜材料研究中的应用:介绍了采用XRD测量...
  • 作者: 储向峰 李玉琢 白林山
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年2期
    页码:  115-118
    摘要: 电化学机械抛光(ECMP)技术可以在低压力下进行,有可能替代化学机械抛光(CMP)技术,满足含易碎、低介电常数材料的小尺寸特征结构的ULSI中Cu的抛光要求.利用自制的抛光液和改装的抛光机对...
  • 作者: 刘玉岭 张建新 王志华
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年2期
    页码:  119-122
    摘要: 在太阳能电池制造工业中,为解决硅片制绒前的传统表面处理存在的药剂消耗多以及硅片去除量大的问题,引入电化学清洗的方法.这种方法是利用专用试剂电解后的强氧化性质,通过腐蚀、氧化与清洗的结合,有效...
  • 作者: 吕英杰 张小兴 张红丽 戴宇杰
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年2期
    页码:  123-126
    摘要: 采用ASMC 0.35μm CMOS工艺设计了低功耗、高电源抑制比(PSRR)、低温漂、输出1V的带隙基准源电路.该设计中,偏置电压采用级联自偏置结构,运放的输出作为驱动的同时也作为自身电流...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年2期
    页码:  127-128
    摘要:
  • 作者: 任敏 张磊 董浩 邓宁 陈培毅
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年3期
    页码:  129-133
    摘要: 回顾了热助磁开关理论的发展,包括了Neel-Brown弛豫时间理论和Z.Li小组的有效温度或势垒降低模型,前者很好地解释了磁场驱动磁化矢量翻转的热开关过程,但是不能解释电流驱动磁开关工作机理...
  • 作者: 刘明 刘琦 刘肃 左青云 张森 李颖弿 王琴 王艳 胡媛 龙世兵
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年3期
    页码:  134-140,153
    摘要: 随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力.但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与...
  • 作者: 郭维廉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年3期
    页码:  141-147
    摘要: 以光接收器件代替RTD MOBILE(RTD单-双稳转换逻辑单元)电路中的HEMT或HBT,可构成光控MOBILE电路.在比较了四种光控MOBILE结构的基础上,选择RTD/HPT光控结构,...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年3期
    页码:  147
    摘要:
  • 作者: 宋长青 尹海宏 朱海峰 汤敏 王坤赤
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2009年3期
    页码:  148-153
    摘要: 采用紧束缚分子动力学方法模拟了两个不同口径的单壁碳纳米管的轴向焊接过程.发现焊接过程会形成一些新的C-C键,但这些键的形成并不是瞬间、同时完成的,小口径的单壁碳纳米管会围绕一个最先形成的C-...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

微纳电子技术统计分析

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