AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气的自旋性质

• 作者: 唐宁 沈波 韩奎
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Ⅲ族氮化物半导体 异质结构 二维电子气 自旋 磁输运
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 65-69
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23|O571.22
• 字数: 4310字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.02.001

摘要

Ⅲ族氮化物材料有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一.介绍了目前两种最主要的研究AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)自旋性质的物理效应:磁电阻的舒伯尼科夫-德哈斯拍频振荡和弱反局域效应,回顾了AlxGa1-xN/GaN异质结构中2DEG自旋性质的研究进展.AlxGa1-xN/GaN异质结构材料中有很强的极化电场,诱导产生很高浓度的2DEG,能够产生相当大能量的自旋分裂,并且这种自旋分裂可以被栅压所调控,因此在自旋场效应晶体管方面有很好的应用前景.然而要实现GaN基自旋电子学器件的应用,GaN中自旋注入效率是目前所面临的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐宁		1	1	1.0	1.0
2	沈波		2	6	1.0	2.0
3	韩奎		1	1	1.0	1.0