高性能A1GaN/GaN HEMT的肖特基特性

• 作者: 冯震 宋建博 张志国 王勇 田秀伟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN高电子迁移率晶体管 肖特基接触 理想因子 泄漏电流 表面处理 表面钝化
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 75-78
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23|TN386.3
• 字数: 2791字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.02.003

摘要

研究了AIGaN/GaN HEMT制备中相关工艺对器件肖特基特性的影响,并对工艺进行了优化.首先研究了表面处理对器件肖特基势垒特性的影响,对不同的表面处理方法进行了比较,发现采用氧等离子体处理,并用V(HF):V(H2O)=1:5溶液清洗刻蚀后的表面,可以有效减小表面态密度,未经处理的样品肖特基接触理想因子为2.6,处理后理想因子减小到1.8.对SiN钝化膜的折射率与肖特基特性的关系进行了研究,发现SiN钝化膜的折射率为2.3～2.4时,钝化对肖特基特性的影响较小,但反向泄漏电流较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田秀伟	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	4	2.0	2.0
2	冯震	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	32	3.0	5.0
3	王勇	中国电子科技集团公司第十三研究所	53	98	6.0	7.0
4	宋建博	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	8	2.0	2.0
5	张志国	中国电子科技集团公司第十三研究所	17	48	5.0	5.0