微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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16974
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  • 作者: 刘文杰 李远鹏 谢媛媛 赵子润 陈凤霞
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  281-286,350
    摘要: 随着微波T/R组件小型化需求的增加,微波单片集成电路(MMIC)向小型化和多功能发展.基于GaAs E/D PHEMT工艺成功研制了一款超小型7~8.5 GHz幅相控制多功能芯片.片上集成了...
  • 作者: 乔丽华 张敬晶 范素军 赵瑞斌 郝晨茹
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  287-291
    摘要: 采用磁控溅射制备Zn1-xNixO(x=0.02,0.03,0.04,0.05,0.07)薄膜,X射线衍射显示所有样品均具有纤锌矿结构.X射线能谱表明在制备薄膜过程中没有引入其他元素.X射线...
  • 作者: 夏英杰 师巨亮 张曦 杨建业 韩颖
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  292-296,350
    摘要: 有效提高隧道结的峰值隧道电流密度(Jp)是提高多结太阳电池(MJSC)聚光倍数和光电转换效率的关键.根据隧道结的电子输运原理,隧道结p区价带费米能级之上的空量子态与n区导带费米能级之下的满量...
  • 作者: 曾汉春 胡延东
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  297-303,339
    摘要: 基于直流绝缘式介电泳技术和数值模拟方法,设计了一种二维微扩锯齿状微通道,实现对直径分别为4,8,12,16和20μm的聚苯乙烯微粒进行多目标同时分离.通过分析介电泳力对微粒运动轨迹的影响,并...
  • 作者: 李相鹏 郑亮 黄海波
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  304-309
    摘要: 提出了一种基于磁场驱动的蝌蚪形微型机器人系统.系统主要包含基于Helmholtz线圈搭建的磁场控制平台和一个特征长度为4 mm的具有蝌蚪外形的微机器人.通过在线圈中施加符合特定变化规律的电流...
  • 作者: 张国军 张文栋 王续博 郭楠 郭静
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  310-315
    摘要: 针对传统矢量水听器在实际应用中需要辅助弹性悬挂,不便于工程应用的问题,设计并制造了一种具有低加速度灵敏度可刚性固定的差分型MEMS矢量水听器.介绍了该水听器的工作原理,制作了试验样机.搭建实...
  • 作者: 吴大军 梁赪 王连卫
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  316-320
    摘要: 宏多孔硅基于MEMS技术,通过清洗、氧化、光刻和湿法刻蚀等工艺流程制备,其大比表面积的多孔三维结构可作为很好的骨架结构.以宏多孔硅为基底,在其表面以及通道内沉积集流层,制备的宏孔导电网络可作...
  • 作者: 付星星 刘扬 张国义
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  321-325
    摘要: 为进一步提高基于图形化蓝宝石衬底(PSS)技术的氮化镓(GaN)基LED的出光效率,针对PSS微结构的侧壁弧度进行了优化设计.研究实验采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,通过优化三氟...
  • 作者: 刘玉岭 张文倩 栾晓东 牛新环 王娟 王辰伟
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  326-332
    摘要: 研究了抛光液中磨料、螯合剂、表面活性剂和氧化剂对Cu/Ru/SiO2材料去除速率选择比的影响.利用电化学和磨料颗粒表面Zeta电位对H2 O2和KIO4在Cu/Ru抛光中的作用进行了分析.采...
  • 作者: 丁桂甫 刘民 段力 王凤丹 王强 王英 邵靖 郑芳芳 高均超
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  333-339
    摘要: 介绍和表征了一种制作聚二甲基硅氧烷(PDMS)软模板的工艺方法,并实现了非平面微加工工艺的图形转移.首先采用深硅电感耦合等离子体(ICP)刻蚀工艺制备了具有图形的硅片硬母版,然后用PDMS对...
  • 作者: 周思渊 李光涛 李端松 田铭
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  340-344
    摘要: 为了避免深沟槽隔离过程中出现缝隙,提出了一种有利于多晶硅回填的倒梯形沟槽.这种沟槽的开口处宽度比底部宽度大,使用了一种优化的微机械加工工艺,利用各向同性刻蚀形成了一种倒梯形沟槽.另一方面,对...
  • 作者: 何刚 刘浩 李庆伟 赵润 高鹏飞
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2016年5期
    页码:  345-350
    摘要: 氮化硅(SiNx)薄膜是一种广泛应用于半导体光电器件的介质膜,其性质的优劣直接影响器件的性能.使用SiH4与NH,作为反应气体制备出的氮化硅薄膜含有大量氢,应用于某些光电器件时,会导致器件工...

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

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2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

微纳电子技术统计分析

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