PSS侧壁弧度优化及对GaN基LED出光效率的影响

• 作者: 付星星 刘扬 张国义
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 图形化蓝宝石衬底(PSS) 侧壁 氮化镓(GaN) 发光二极管(LED) 出光效率
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 321-325
• 分类号: TN312.8|TN304.23
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.05.008

摘要

为进一步提高基于图形化蓝宝石衬底(PSS)技术的氮化镓(GaN)基LED的出光效率,针对PSS微结构的侧壁弧度进行了优化设计.研究实验采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,通过优化三氟甲烷(CHF3)和三氯化硼(BC13)气体体积流量比,实现了对微结构侧壁弧度的有效调控.此外,对各种类型GaN基LED芯片的光学特性进行了测试表征,并结合蒙特卡罗光线追迹方法模拟了PSS微结构的侧壁弧度变化对LED轴向、侧面和总出光效率的影响.实验和理论模拟结果表明,微结构的侧壁弧度对LED出光效率有显著影响,当微结构侧壁中心到内接圆锥侧壁中心的距离为(150±10) nm时,LED的出光效率将进一步提高8.9％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘扬	中山大学电子与信息工程学院	22	66	4.0	7.0
2	付星星	中山大学电子与信息工程学院	1	3	1.0	1.0
6	张国义		2	5	2.0	2.0