GLSI阻挡层钌化学机械抛光去除速率的控制

• 作者: 刘玉岭 张文倩 栾晓东 牛新环 王娟 王辰伟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光(CMP) 钌 去除速率选择比 高碘酸钾 双氧水
• 年，卷（期）: 2016,（5）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 326-332
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2016.05.009

摘要

研究了抛光液中磨料、螯合剂、表面活性剂和氧化剂对Cu/Ru/SiO2材料去除速率选择比的影响.利用电化学和磨料颗粒表面Zeta电位对H2 O2和KIO4在Cu/Ru抛光中的作用进行了分析.采用原子力显微镜观察了Cu表面的微观形貌.结果表明:无任何氧化剂的抛光液中,Cu和SiO2的抛光速率随着磨料质量分数的升高而增加,Ru的抛光速率几乎为0 nm/min,磨料含量对材料抛光速率选择比的影响最大;抛光液中加入表面活性剂可使Cu表面粗糙度由6.76 nm降低到1.286 nm.由于Cu和Ru表面氧化物致密,导致电离的金属离子有限,结果Ru和Cu的抛光速率随着螯合剂体积的增加变化不明显;H2 O2可显著提高Cu的抛光速率,而Ru的抛光速率由0nm/min只提升到24.3 nm/min,KIO4可同时提高Cu,Ru和SiO2的抛光速率,且Cu和Ru抛光速率比接近1∶1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学电子信息工程学院	263	1540	17.0	22.0
2	王娟	河北工业大学电子信息工程学院	40	220	8.0	12.0
3	牛新环	河北工业大学电子信息工程学院	69	406	10.0	17.0
4	王辰伟	河北工业大学电子信息工程学院	80	287	8.0	10.0
5	张文倩	河北工业大学电子信息工程学院	11	36	3.0	5.0
6	栾晓东	河北工业大学电子信息工程学院	8	26	3.0	4.0