HCl-(NH4)2S2O8体系抛光液中钌的化学机械抛光研究

• 作者: 乔红兵 储向峰 李秀金 汤丽娟 董永平
• 来源期刊: 现代制造工程
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 钌 阻挡层材料
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 17-21
• 分类号: TG175.3
• 字数: 3969字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-3133.2012.07.005

摘要

金属钌(Ru)有可能作为集成电路中铜互连阻挡层材料,作为阻挡层必须具有低的表面粗糙度.化学机械抛光技术已经成为集成电路制造中实现局部平面化和全局平面化的关键技术,因此对钌的化学机械抛光研究具有重要意义.利用自制抛光液,研究了在HCl-(NH4)2S208体系抛光液中盐(KCl)的浓度、络合剂浓度、pH值和抑制剂(BTA)等对钌的去除速率的影响.实验发现,在HCl-(NH4)2S2O8体系抛光液中,金属钌在1wt.％SiO2、1 wt.％过硫酸铵、1wt.％酒石酸、1 mmol/L BTA和10mmol/L KCl,pH值为9.0的抛光液中,抛光速率为10.8nm/min.电化学实验发现,在lwt.％SiO2、1wt.％过硫酸铵、1wt.％酒石酸、1mmol/L BTA和1mmol/L KCl,pH值为4.0的抛光液中,金属钌表面化学反应受抑制；在1wt.％SiO2、1wt.％过硫酸铵、1wt.％酒石酸、1mmol/L BTA和1 mmol/L KCl,pH值为9.0的抛光液中,金属钌表面钝化膜较致密、较厚.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	储向峰	安徽工业大学化学化工学院	59	209	6.0	11.0
2	李秀金	安徽工业大学化学化工学院	3	9	2.0	3.0
3	董永平	安徽工业大学化学化工学院	45	183	7.0	11.0
4	汤丽娟	安徽工业大学化学化工学院	4	31	3.0	4.0
5	乔红兵	安徽工业大学化学化工学院	1	2	1.0	1.0