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微纳电子技术2021年第3期出版文献
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
微纳电子技术
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《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。
创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
俄罗斯《AJ》收录
美国《剑桥科学文摘》收录
英国《SA》,INSPEC数据库收录
ISSN：
1671-4776
CN：
13-1314/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
3266
总下载数（次）
22
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 对目前基于过渡金属硫族化合物(TMD)材料(MoS2、WSe2等)的互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器电路相关研究进行了综述.总结了TMD材料的物理性质、制备方法和基于TMD的场效应晶体...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 介绍了一种应用于5G通信系统的高速光电探测器,设计了InP基台面型pin高速光电探测器材料结构,通过理论计算及软件模拟得到响应度和带宽随耗尽层厚度的变化规律,并对材料结构进行优化.制备了光敏...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 基于半导体微纳工艺设计并制备了一种FeNHf磁性薄膜的镜像四环非对称太赫兹微结构,测试了薄膜磁性能和微结构太赫兹波传输特性.结果 表明FeNHf薄膜在0.5 GHz时在难轴方向的磁导率为41...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 通过水热法和焙烧法在碳布(CC)上制备了具有纳米片状的硒化镍(NiSe2) (NiSe2/CC).采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、N2等温...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 介绍了一种新型非谐振式微电子机械系统(MEMS)电磁振动能量采集器的设计、微加工和表征测试.该能量收集器由MEMS结构、线圈、小型化NdFeB磁体和陶瓷基板组成.建立结构模型对结构固有频率、...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 依据高场非对称波形离子迁移谱(FAIMS)原理,设计了一种迁移区和收集区一体化式的微型化FAIMS气体传感器.电离区采用能量为10.6 eV的紫外灯对异丁烯气体进行电离,迁移区和收集区采用微...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 对基于一维纳米材料的硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FET)传感器在疾病早期诊断中检测超低浓度生物标志物的优势进行了简单阐述,提出提高SiNW-FET传感器检测灵敏度的重要性和必要性.介绍了...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 柔性电容式传感器在人体运动检测设备和智能假肢手等可穿戴领域具有广泛的应用.以多壁碳纳米管(MWCNT)为导电材料、A4纸为基底、弹性海绵为介电层,将MWCNT喷涂于A4纸的表面形成电极,设计...
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9. MEMS微同轴宽带功分器刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 随着微波系统大功率、超宽带的发展,对功率分配/合成结构的性能提出了更高的要求,超宽带、低损耗、小尺寸、易于集成的功分器成为研究热点.基于微电子机械系统(MEMS)工艺的微同轴射频传输线具有超...
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10. 微流控通道加工技术的研究进展刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 在微流控芯片中,微通道是进行微分析的重要保证,其成型质量直接影响芯片的分析性能.从加工机理、技术特点以及适用范围等方面对激光直写加工、光刻加工、热压印技术、微细铣削加工和3D打印等微流控通道...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 采用高压微射流均质处理方法,分别在水和异丙醇介质中对以三聚氰胺为前驱体通过热聚合法制备的本征g-C3N4材料进行纳米化处理.通过在紫外光和可见光下降解罗丹明B(RhB)和亚甲基蓝(MB),对...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 采用Au和Sn单质金属靶,通过直流磁控溅射法制备调制型Au/Sn薄膜(薄膜层数为3～21),经快速退火后,实现单质多层薄膜的合金化.主要研究了Au/Sn薄膜微观形貌和合金化工艺控制.结果 表...
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刊名： 微纳电子技术发表期刊： 2021年3期页码:摘要： 以低压化学气相沉积(LPCVD)热壁立式炉为实验平台,由二氯硅烷和氨通过LPCVD工艺合成氮化硅薄膜,利用降温成膜提高氮化硅薄膜的膜厚均匀度.基于气体碰撞理论建立了氮化硅薄膜沉积速率与反应气...
微纳电子技术基本信息
| 刊名 | 微纳电子技术 | 主编 | 李和委 |
| 曾用名 | 半导体情报(1964-2001) | ||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1671-4776 | CN | 13-1314/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | wndz@vip.sina.com |
| 电话 | 0311-87091487 | 网址 | www.wndz.org |
| 地址 | 石家庄市179信箱46分箱 |
微纳电子技术评价信息
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| 2. | 科学文摘(英) |
| 3. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 俄罗斯《AJ》收录 |
| 2. | 美国《剑桥科学文摘》收录 |
| 3. | 英国《SA》,INSPEC数据库收录 |
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