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刊名：电力电容器与无功补偿
发表时间：2015-05-01
摘要:
应用于交流或脉冲放电领域的金属化膜电容器,由于蒸镀的金属电极很薄,电极电阻较大,发热是其在工作中不可忽视的一个问题.而当电容器内部温度显著升高时,介质的介电性能会下降,使用寿命就会显著缩短.因此,有必要对金属化膜电容器的电极发热进行计算,从而对其发热情况进行评估.计算了金属化膜电容器的电极发热功率和沿膜宽方向的发热功率密度,并对恒定方阻和渐变方阻电容器的发热进行了对比分析.
刊名：电工材料
发表时间：2013-01-01
摘要:
在选定粘结剂体系的基础上,制备了不同碳粉形貌和不同碳粉配比的导电碳浆,研究了导电碳浆中导电相(碳粉)的种类、形貌、粒径以及配比对碳浆黏度、触变性以及导电膜电阻等性能的影响.结果表明,导电碳浆均表现出典型分散体系的流变学特征,具有剪切稀化效应.石墨片径越大,所制备碳浆的触变指数越大,固化膜方阻越小;在碳浆中碳粉含量固定的情况下,炭黑的质量分数越高,导电碳浆的黏度就越大,触变指数也越大;当石墨和炭黑的比例为6:4时,导电膜层具有最好的导电性;增加炭黑的比例将提高碳浆的溶剂释放性,缩短印刷膜层固化时间,但会导致方阻增加.
发表时间：2018-03-01
摘要:
采用模压和真空热压烧结工艺制备了钼铌和钼钽两种钼合金靶材,以薄膜半导体-液晶显示器(TFT-LCD)无碱玻璃为衬底,磁控溅射沉积了不同厚度的钼薄膜.利用场发射扫描电镜和共聚焦显微镜表征了靶材显微组织、元素面分布以及薄膜微观形貌.借助四探针测试仪测试了薄膜的方阻值,研究了铌和钽合金化对钼薄膜导电性的影响.研究结果表明:铌、钽合金化均可细化靶材晶粒,且靶材晶粒均无明显择优取向.钼铌和钼钽两种合金靶材平均晶粒尺寸分别为70.02 μm和34.43 μm.相同溅射工艺参数下,钼铌和钼钽合金薄膜厚度分别约为200 nm和240 nm.钼铌合金薄膜平均方阻为15.68 Ω/□,钼钽合金薄膜平均方阻为22.00 Ω/□.钽合金化后,钼靶材晶粒细化更为显著,晶粒尺寸分布更加均匀,薄膜沉积速度更快,且表面粗糙度较小,导致钼钽合金薄膜方阻增长较大.
刊名：电子元件与材料
发表时间：2011-05-01
摘要:
为了解无铅玻璃粉中各组分含量对玻璃粉性能的影响,采用正交实验法对各组分含量进行筛选,得到流动性为32.80mm、转变温度为446℃的性能较好的无铅低熔玻璃粉,其组成为:w(Bj<,2>O<,3>)62.7%、w(B<,2>O<,3>)18.8%、w(ZnO)1.5%、w(碳族氧化物A)6.O%、w(碳族氧化物D)8.0%.以该玻璃粉与银粉和乙基纤维素松油醇溶液配制银导电浆料,在多晶硅片上经720℃烧渗.结果表明,得到的银层表面光洁,厚为(15±3)μ时,方阻为4.2×10<'-3>Ω/mm<'2>,附着力为4 N,能满足硅基电子元器件的使用要求.
发表时间：2018-02-01
摘要:
利用水热还原法以二水合氯化铜为铜源,葡萄糖为还原剂,十六烷基胺为封端剂合成了直径约为25 nm的面心立方结构的铜纳米线.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对合成产物的晶体结构、形貌、元素进行了表征.最后,将铜纳米线喷涂在玻璃表面,形成铜导电薄膜,并对喷涂体积与薄膜透光率和导电性能的影响进行了研究.结果表明,当沉积密度增加时,透光率下降,薄膜方阻也大幅度降低,但品质因数(FM)持续增加,当喷涂量为8 mL 时,薄膜透光率在75% 以上,方阻下降为15 Ω·□ -1,品质因数可达88.
刊名：世界有色金属
发表时间：2020-12-01
摘要:
石墨烯作为二维纳米碳质材料,具有超高的载流子迁移率、在非极性溶剂中具有良好的溶解性等优点.本文通过超声-固相剪切法以乙醇为有机溶液剥离膨胀石墨制备石墨烯,通过XRD、SEM、AFM的表征得到了片层大小约为20μm左右、厚度为4.7nm左右、层数在10层以下的石墨烯,并制备出水基/石墨烯导电油墨和电热膜,探究了电热膜宽度和厚度对发热效果的影响.结果表明:当其他条件不变,发热膜的宽度在140mm时,单个发热膜整体电阻的最低值;当长度和宽度一定时,发热膜厚度达到0.906mm后发热体的方阻趋于不变;单个发热体尺寸为140mm×200mm×0.906mm,其方阻约为21.8Ω/sq,整体平均阻值约为31.2Ω,在5V的直流电压下,加热30s,发热均匀恒温42℃.
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