氮分压对磁控溅射制备TaN薄膜性能的影响

• 作者: 向阳 吴传贵 康杰 张万里 王超杰
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: TaN薄膜 磁控溅射 N2分压 方阻 电阻温度系数
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 46-48
• 页数: 3页
• 分类号: TN204
• 字数: 1698字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2009.06.014

摘要

采用直流反应磁控溅射法制备了TaN薄膜,研究了φ(N2)对薄膜的结构和性能影响.研究发现,在N2分压(体积分数)为9%时,多相共存的TaN薄膜表现出TaN(200)面择优取向,方阻和αt达到最佳,其值为52 Ω/□和-306×10-6 /℃.薄膜的方阻、电阻温度系数αt和晶粒尺寸都随着N2分压的增大而增大:当N2分压高于11%时,薄膜的方阻和αt增长较快.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
2	吴传贵	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	27	96	5.0	8.0
3	王超杰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	28	3.0	5.0
4	向阳	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	21	3.0	4.0
5	康杰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	2	1.0	1.0