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刊名：材料工程
发表时间：2019-05-01
摘要:
铁酸铋在室温下既可表现出铁电性又可表现出反铁磁性,在器件应用上有非常大的应用前景,因此被认为是最有前途的多铁性化合物之一.本文综述了多铁性材料的发展历史、铁酸铋晶体结构以及国内外近年来关于铁酸铋薄膜铁电性能离子替代改性的相关工作及研究进展.本文重点围绕由镧系和低价碱金属元素的A位替代、过渡族金属元素的B位替代,以及A,B位共同替代对铁酸铋薄膜的漏电流、铁电性的影响,并系统总结了不同元素、不同掺杂量对A,B位替代的铁酸铋薄膜的剩余极化和矫顽电场值的影响,更为直观地展现出各类元素离子替代改性对铁酸铋薄膜的影响.本文最后提出了关于铁酸铋薄膜制造工艺、电极材料、薄膜厚度和操作电压等亟待开展的工作.
申请人：中国科学院物理研究所
公开时间：2009-10-28
摘要:
本发明涉及一种金属多层膜霍尔器件，其由在硅基片上交替生长的磁性金属层和Pt层构成，磁性金属选用Fe、Co或/和CoFe合金。该金属霍尔器件具有超高灵敏度，在室温下甚至可以达到1200V/AT，这已经超过了目前半导体霍尔器件的灵敏度，可应用于传感器和磁存储系统中。本发明提供的上述金属霍尔器件的制备工艺简单、重复且稳定，非常适合实际操作。
申请人：中国科学院物理研究所
公开时间：2005-07-06
摘要:
本发明公开了复合量子点器件及其制备方法。该器件包括以掺杂的导电的GaAs作为衬底，利用分子束外延方法在其衬底上按顺序制备出掺杂的GaAs缓冲层、半导体GaAs隔离层、InAs量子点层和在InAs量子点层上覆盖一GaAs盖冒层，在盖冒层表面制备出电极，在衬底背后沉积AuGeNi作为器件背栅；还包括在缓冲层上制备一层Al0.3Ga0.7As/GaAs超晶格势垒层、一层δ-Si掺杂层。该器件采用常规方法制备，它由量子点、二维电子气和薄的肖特基隧穿垒层构成的复合量子点器件，具有发光、光探测、开光、放大和存储等多种功能，可分别用作发光管、光探测器、隧穿二极管、场效应晶体管和存储器等，也可用作它们之间的一种组合。
申请人：中国科学院物理研究所
公开时间：2008-02-13
摘要:
本发明公开了一种基于FePt磁性层的磁记录介质，包括基片(1)、FePt磁性层(3)和保护层(4)，磁记录介质还包括AuCu合金缓冲层(2)，该AuCu合金缓冲层设于所述基片和所述FePt磁性层之间；本发明提供一种基于FePt磁性层的磁记录介质，该磁记录介质的磁性层为等原子比或接近等原子比的FePt合金，通过添加了特殊的缓冲层，在磁性层厚度很薄的情况下，仍然可以大大降低有序化温度；FePt磁性层实现了信息的高密度记录；在磁性层上覆盖一层薄的保护层，一方面可以保护磁性层，另一方面可以达到更好的平整度以及润滑的作用。制备这种磁记录介质的方法简单、重复且稳定，非常适合实际操作。
申请人：天津师范大学
公开时间：2019-12-10
摘要:
本发明实施例公开了一种用于脉冲激光成膜的靶材、薄膜的制造方法及设备。该靶材包括位于所述靶材表面的第一区域和第二区域，其中，所述第一区域和所述第二区域分别具有第一组分和第二组分，所述第一组分和所述第二组分不同，在成膜期间，所述脉冲激光的光斑轰击所述第一区域和所述第二区域以获得可调整组分的薄膜。本发明实施例提供的靶材、组合薄膜的制造方法及设备，通过设计合成组合型靶材，并结合对激光光斑的控制调节，能够实现多种目的组合薄膜的生长；并能够极大地提高样品合成的效率，能够(连续)调控具体的某个生长变量，实现系列样品的平行制备；该制造设备的原理简单、复杂程度低，降低了累计误差和机械损耗的影响。
申请人：中国科学院物理研究所
公开时间：2005-09-28
摘要:
本发明公开了一种基于FePt磁性层的磁记录介质，包括基片(1)、FePt磁性层(3)和保护层(4)，磁记录介质还包括AuCu合金缓冲层(2)，该AuCu合金缓冲层设于所述基片和所述FePt磁性层之间；本发明提供一种基于FePt磁性层的磁记录介质，该磁记录介质的磁性层为等原子比或接近等原子比的FePt合金，通过添加了特殊的缓冲层，在磁性层厚度很薄的情况下，仍然可以大大降低有序化温度；FePt磁性层实现了信息的高密度记录；在磁性层上覆盖一层薄的保护层，一方面可以保护磁性层，另一方面可以达到更好的平整度以及润滑的作用。制备这种磁记录介质的方法简单、重复且稳定，非常适合实际操作。
申请人：中国科学院物理研究所
公开时间：2003-04-23
摘要:
本实用新型涉及具有复合结构的量子点器件。该器件包括以高掺杂的导电的GaAs作为衬底，利用分子束外延方法在其衬底上按顺序制备出掺杂的缓冲层、半导体GaAs隔离层、InAs量子点层和在InAs量子点层上覆盖一层薄的GaAs盖冒层，在衬底的盖冒层表面制备出电极，在衬底背后沉积AuGeNi作为器件背栅；还包括在缓冲层上制备一层AlGaAs/GaAs超晶格势垒层、一层δ－Si掺杂层；该器件采用常规方法制备，它由量子点、二维电子气和薄的肖特基隧穿垒层等结构构成的一种复合量子点器件，具有发光、光探测、开光、放大和存储等多种功能，可分别用作发光管、光探测器、隧穿二极管、场效应晶体管和存储器等，也可用作它们之间的一种组合。具有性能稳定、可控和应用广等优点。
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