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1.【专利】平面光延迟器的设计方法及结构

公开时间：2005-06-29

摘要:

本发明属光通讯技术领域，具体为一种平面光延迟器的设计方法及结构。本发明根据光子晶体缺陷态之间相互耦合的理论，研究了缺陷层厚度和透射谱之间的关系，缺陷层之间的结构的周期数和透射谱之间的关系以及不同数量的缺陷对器件的性能所造成的影响。本发明所设计的光延迟器可以是在多晶Si/非晶SiO₂多层膜中引入多个缺陷态，利用缺陷态之间的相互耦合，使得器件的透射频谱加宽，满足高速光通信的基本要求。同时该器件能与硅平面集成工艺兼容，具有良好的应用前景。

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2.【期刊】梯度磁场中薄膜厚度梯度的形成机理

作者：朱炎狄国庆陈亚杰赵登涛

刊名：浙江大学学报(理学版)

发表时间：2002-04-01

摘要:

借助于基片下方放置的磁铁,在溅射的放电空间中引入了纵向的梯度磁场.辉光放电时,其外貌发生了显著的收缩,由此沉积的薄膜在平面内存在明显的厚度梯度.用磁场中带电粒子的运动理论解释了此种薄膜的形成机制.

磁场梯度磁镜磁控溅射辉光厚度梯度

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被引 1

3.【期刊】反应溅射制备非晶Al2O3薄膜的介电特性

作者：赵登涛狄国庆朱炎

刊名：材料科学与工程

发表时间：2000-03-01

摘要:

在氧气、氩气的混合气氛中,利用反应射频磁控溅射制备了厚度在100到10纳米的非晶氧化铝薄膜.通过Al-Al2O3-Al电容器研究了此非晶薄膜的介电性质.

反应射频磁控溅射介电性质非晶氧化铝薄膜

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被引 16

4.【专利】平面光波导偏振器的设计及其结构

发明人：施斌赵登涛樊永良王迅

申请人：复旦大学

公开时间：2002-05-15

摘要:

本发明是利用光子晶体理论设计的一种新型平面光波导偏振器。现有波导偏振器由于传输损耗大,消光比低,所以在集成光学中并不实用。本发明用光子晶体理论先设计高反膜系,然后引入缺陷层,再调节缺陷层的参数,使得不同偏振态光的缺陷态对应的波长不同。本发明设计的平面波导偏振器可以是在硅衬底上用两套全同的多晶Si/非晶SiO₂多层膜夹一层非晶SiO₂芯层,利用不同偏振态的光对波导的透射率的显著不同而使自然光在经过很短的传输距离后就可获得很高的消光比,并且传输损耗很小。理论分析和实验结果都证明此种光波导偏振器不仅制备简单,能与硅平面集成工艺兼容,而且具有良好的传输特性和高的消光比。

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5.【专利】一种平面光延迟器

发明人：刘坚施斌樊永良赵登涛蒋最敏王迅

申请人：复旦大学

公开时间：2003-12-10

摘要:

本实用新型属光通讯技术领域，具体为一种平面光延迟器。本实用新型根据光子晶体缺陷态之间相互耦合的理论，研究了缺陷层厚度和透射谱之间的关系，缺陷层之间的结构的周期数和透射谱之间的关系以及不同数量的缺陷对器件的性能所造成的影响。本实用新型所设计的光延迟器可以是在多晶Si/非晶SiO₂多层膜中引入多个缺陷态，利用缺陷态之间的相互耦合，使得器件的透射频谱加宽，满足高速光通信的基本要求。同时该器件能与硅平面集成工艺兼容，具有良好的应用前景。

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6.【专利】平面光延迟器的设计方法及结构

发明人：刘坚施斌樊永良赵登涛蒋最敏王迅

申请人：复旦大学

公开时间：2002-09-04

摘要:

本发明属光通讯技术领域,具体为一种平面光延迟器的设计方法及结构。本发明根据光子晶体缺陷态之间相互耦合的理论,研究了缺陷层厚度和透射谱之间的关系,缺陷层之间的结构的周期数和透射谱之间的关系以及不同数量的缺陷对器件的性能所造成的影响。本发明所设计的光延迟器可以是在多晶Si/非晶SiO₂多层膜中引入多个缺陷态,利用缺陷态之间的相互耦合,使得器件的透射频谱加宽,满足高速光通信的基本要求。同时该器件能与硅平面集成工艺兼容,具有良好的应用前景。

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7.【专利】平面光波导偏振器的设计及其结构

发明人：施斌赵登涛樊永良王迅

申请人：复旦大学

公开时间：2004-07-14

摘要:

本发明是利用光子晶体理论设计的一种新型平面光波导偏振器。现有波导偏振器由于传输损耗大，消光比低，所以在集成光学中并不实用。本发明用光子晶体理论先设计高反膜系，然后引入缺陷层，再调节缺陷层的参数，使得不同偏振态光的缺陷态对应的波长不同。本发明设计的平面波导偏振器可以是在硅衬底上用两套全同的多晶Si/非晶SiO₂多层膜夹一层非晶SiO₂芯层，利用不同偏振态的光对波导的透射率的显著不同而使自然光在经过很短的传输距离后就可获得很高的消光比，并且传输损耗很小。理论分析和实验结果都证明此种光波导偏振器不仅制备简单，能与硅平面集成工艺兼容，而且具有良好的传输特性和高的消光比。

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8.【期刊】Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长

作者：胡冬枝赵登涛蒋伟荣施斌顾骁骁张翔九蒋最敏

刊名：半导体学报

发表时间：2002-06-01

摘要:

研究了Si(001)面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si(001)6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为640℃,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在Si(001)衬底成岛生长的临界厚度,6°斜切衬底上淀积0.7nm Ge即可成岛,少于Si(001)衬底片上Ge成岛所需的淀积量.从Ge量子点的密度随固相外延温度的变化曲线,得到Ge量子点的激活能为1.9eV,远高于Si(111)面上固相外延Ge量子点的激活能0.3eV.实验亦发现,在Si(001)斜切衬底上固相外延生长的Ge量子点较Si(001)衬底上形成的量子点的热稳定性要好.

量子点 Ge 固相外延

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被引 7

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