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1.【期刊】GaAs MESFET的热电子应力退化

刊名：电子产品可靠性与环境试验

发表时间：2005-06-01

摘要:

进行GaAs MESFET的热电子应力试验,在24V≤VDS≤28V,-5.5V≤VCS≤-4 V的应力条件下,热电子效应将导致GaAs MESFET直流参数的严重退化.退化模式主要表现为饱和漏电流IDSS减小,跨导gm减小,夹断电压V.增大,击穿电压增大.从微波性能方面来看,热电子效应器件的输出功率增益大幅度下降.退化机理主要是栅漏区表面及栅边缘俘获负电荷.

砷化镓金属-半导体场效应晶体管热电子效应界面态退化

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2.【期刊】4H-SiC MESFET高频小信号特性的模拟与分析

作者：王雷张义门张玉明盛立志

刊名：西安电子科技大学学报（自然科学版）

发表时间：2004-06-01

摘要:

建立了4H-SiC MESFETs的模型,运用二维器件模拟软件MEDICI对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了研究.利用正弦稳态分析的方法对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性进行了模拟,模拟结果与实验数值比较表明在特征频率fT以内得到了较为满意的结果.分析了不同的栅长、栅漏间距、不同的沟道掺杂以及温度变化对SiC MESFET特征频率fT的影响.

4H-SiC 金属-半导体场效应晶体管高频小信号特征频率

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3.【期刊】GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究

作者：陈小红陈松岩张玉清林爱清陈丽容邓彩玲

刊名：厦门大学学报(自然科学版)

发表时间：2002-06-01

摘要:

用低压金属有机气相外延(LP-MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料,并对材料进行Raman、光致发光(PL)谱的测试分析,结果表明在GaAs/InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移;PL谱峰较强,16 K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰,表明了GaAs外延层的晶体质量较好.以此生长方法制备了金属-半导体场效应晶体管(MESFET),其单位跨导可达200 ms/mm.该器件已经达到GaAs同质结构的器件水平.

GaAs/InP异质材料光致发光谱 Raman谱金属-半导体场效应晶体管

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4.【期刊】SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型

作者：杨林安张义门于春利张玉明

刊名：物理学报

发表时间：2003-02-01

摘要:

针对4H-SiC射频大功率MESFET,建立了一个解析的陷阱效应模型,该模型采用简化参数描述方法,并结合自热效应分析,从理论上完善了SiC MESFET大信号直流I-V特性的解析模型,且避免了数值方法模拟陷阱效应的巨大计算量.

碳化硅陷阱效应金属-半导体场效应晶体管深能级陷阱界面态

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