SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型

• 作者: 于春利 张义门 张玉明 杨林安
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 陷阱效应 金属-半导体场效应晶体管 深能级陷阱 界面态
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 核物理学
• 页码范围: 302-306
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4494字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.02.011

摘要

针对4H-SiC射频大功率MESFET,建立了一个解析的陷阱效应模型,该模型采用简化参数描述方法,并结合自热效应分析,从理论上完善了SiC MESFET大信号直流I-V特性的解析模型,且避免了数值方法模拟陷阱效应的巨大计算量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子研究所	129	835	15.0	21.0
2	杨林安	西安电子科技大学微电子研究所	17	95	6.0	9.0
3	于春利	西安电子科技大学微电子研究所	8	63	4.0	7.0
4	张玉明	西安电子科技大学微电子研究所	126	777	15.0	20.0