双栅绝缘层a-Si TFT研究

• 作者: 代永平 周祯华 孟志国 张建军 熊绍珍 莫希朝
• 来源期刊: 液晶通讯
• 学科: 物理学
• 关键词: TFT 双栅 迁移率 蚀刻 工作电流 成品率 性能 膜电阻 双层膜 矩阵
• 年，卷（期）: 1993,（3）
• 页码范围: 83-87
• 页数: 5页
• 分类号: O484

摘要

采用阳投氧化法对Ta、Ae两种栅电投进行了氧化物获得及性能研究。低阻Ta膜的获得是至关重要的，我们采用直流磁控溅射法详细研究了降低Ta膜电阻的条件，并获坡度可达30—45°的蚀刻条件。阳极氧化膜的厚度可精确地用工作电压控制，其性能则与工作电流、结束方式紧密相关。MOx/SiNx双层膜厚控制匹配与TFT性能关系甚大，在权衡矩阵成品率与性能方面尚有工作要做。实验发现，在严格控制实验条件下，可使TFT的场迁移率得以改善，相应开态电流有所增长。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周祯华	南开大学光电子所	10	149	5.0	10.0
2	熊绍珍	南开大学光电子所	63	380	12.0	18.0
3	代永平	南开大学光电子所	74	390	12.0	16.0
4	张建军	南开大学光电子所	26	54	5.0	7.0
5	孟志国	南开大学光电子所	26	145	6.0	11.0
6	莫希朝	南开大学光电子所	1	0	0.0	0.0