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氮离子注入
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FN应力
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 掺HF气体氧化及F离子注入Si后氧化的SiO2特性
来源期刊 上海半导体 学科 工学
关键词 氟化氢 氟离子 离子注入 氧化
年,卷(期) 1994,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 29-30
页数 2页 分类号 TN304.12
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研究主题发展历程
节点文献
氟化氢
氟离子
离子注入
氧化
研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
季刊
1006-9453
31-1239/TN
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
出版文献量(篇)
435
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