射频溅射Bi12SiO20薄膜生长

• 作者: 徐良瑛 朱登峻
• 来源期刊: 上海硅酸盐
• 学科: 哲学
• 关键词: 射频溅射 硅酸铋 薄膜生长 BSO晶体
• 年，卷（期）: 1995,（4）
• 页码范围: 223-229
• 页数: 7页
• 分类号: B42

摘要

与其它方法比较，射频溅射方法具有较低温度下生长表面光洁薄膜的优点。本文报道射频溅射生长Ｂｉ１２ＳｉＯ２０薄膜。以化学计量Ｂｉ１２ＳｉＯ２０作为靶材，先在玻璃和硅衬底上生长，它们的结晶结构依赖于衬底温度：低于１００℃为非晶态的ＢＳＯ；１００－３５０℃为ｆｃｃ多晶相；高于４００℃为ｂｃｃ多晶相。