液晶显示用非晶硅薄膜晶体管的研制

• 作者: 钟伯强 黄慈祥
• 来源期刊: 上海硅酸盐
• 学科: 工学
• 关键词: 液晶显示 非晶硅薄膜 晶体管
• 年，卷（期）: 1995,（4）
• 页码范围: 248-252
• 页数: 5页
• 分类号: TN321.5

摘要

本文报道了液晶显示用非晶硅薄膜晶体管的有关材料和器件的制造。为满足实用要求，着重了其关键材料－非晶硅薄膜以及非晶氮化硅薄膜的制作条件和主要性能。经改进，非晶硅薄膜的缺陷态密度达４．１３×１０＾１５ｃｍ＾－３，场效应迁移率为０．８４ｃｍ＾２ｖ＾－１ｓ＾－１。叙述了非晶硅薄膜晶体管的特性。其结果是开并比≥１０＾６，阀值电压Ｖｔ＝２．５Ｖ，ＶＬＣ达到９０％时的上升时间℃６０μｓ。