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GaN转移电子器件的性能与基本设计
GaN
转移电子器件
微分负阻效应
最高频率
临界掺杂浓度
真空电子器件的失效模式及原因分析
真空电子器件
失效模式
失效原因
单电子器件的Monte Carlo模拟
Monte Carlo模拟
单电子
隧道结
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 GaAs/AlAs异质俗间转移电子器件动态工作模式的模拟研究
来源期刊 电子学报 学科
关键词
年,卷(期) 1998,(8) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 51-55
页数 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0372-2112.1998.08.012
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子学报
月刊
0372-2112
11-2087/TN
大16开
北京165信箱
2-891
1962
chi
出版文献量(篇)
11181
总下载数(次)
11
总被引数(次)
206555
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