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BF+2注入加固硅栅PMOSFET的研究
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摘要：
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BF+2注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量
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物理学报
主办单位：
中国物理学会
中国科学院物理研究所
出版周期：
半月刊
ISSN：
1000-3290
CN：
11-1958/O4
开本：
大16开
出版地：
北京603信箱
邮发代号：
2-425
创刊时间：
1933
语种：
chi
出版文献量（篇）
23474
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