温梯法生长φ110 mm×80 mm蓝宝石晶体位错的化学腐蚀形貌分析

• 作者: 周国清 周永宗 干福熹 徐军 徐科 朱人元 邓佩珍
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 温度梯度法 氧化铝 位错腐蚀坑 晶体生长
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 页码范围: 727-733
• 分类号: O772
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.1999.06.014

摘要

利用导向籽晶温度梯度法(TGT)生长了φ110 mm×80 mm的蓝宝石单晶,应用化学腐蚀、光学方法分析了该晶体不同部位、不同切片的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况,发现在晶体放肩处的(1120)面位错密度约为104 cm-2量级,等径生长过程中靠近晶体中心处(0001)面位错密度为(3～4)×103 cm-2,靠近坩埚壁处(0001)面晶体位错密度为(5～6)×103 cm-2.用同样方法分析了提拉法(Cz)生长的φ50 mm×80 mm蓝宝石晶体的位错.相比而言,TGT法生长的Al2O3位错密度比Cz法的Al2O3晶体低得多,约低一个数量级,TGT法可以生长大尺寸、高完整性的Al2O3晶体,这与TGT法的特殊生长工艺有密切关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	干福熹	中国科学院上海光学精密机械研究所	288	2527	23.0	29.0
2	徐军	中国科学院上海光学精密机械研究所	290	2418	22.0	34.0
3	邓佩珍	中国科学院上海光学精密机械研究所	88	747	14.0	22.0
4	周国清	中国科学院上海光学精密机械研究所	48	336	11.0	15.0
5	徐科	中国科学院上海光学精密机械研究所	26	91	5.0	9.0
6	周永宗	中国科学院上海光学精密机械研究所	6	74	4.0	6.0
7	朱人元		1	37	1.0	1.0