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r.f. PCVD法制备c-BN膜的研究
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摘要：
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用气相沉积方法在低气压下制备BN的高压相:E-BN、c-BN、w-BN
E-BN
c-BN薄膜
相变
高压相材料
用射频磁控溅射法在c-BN晶体基底上生长c-BN薄膜
高结晶度
生长速率
生长模式
c-BN薄膜的生长机制
立方氮化硼
薄膜
磁控溅射
RF-PCVD法制备锐钛型TiO2超细粉的研究
化学气相淀积
超细粉
二氧化钛
锐钛
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期刊影响力
无机材料学报
主办单位：
中国科学院上海硅酸盐研究所
出版周期：
月刊
ISSN：
1000-324X
CN：
31-1363/TQ
开本：
16开
出版地：
上海市定西路1295号
邮发代号：
4-504
创刊时间：
1986
语种：
chi
出版文献量（篇）
4760
总下载数（次）
8
总被引数（次）
61689
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