退火及铟含量对InGaAs量子点光学特性的影响

• 作者: 赵震
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 量子点 后退火工艺 光致荧光 注入式半导体激光器
• 年，卷（期）: 1999,（4）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 433-438
• 分类号: TN244
• 语种: 中文

摘要

研究了退火条件和In组份对分子束外延生长的InGaAs量子点(分别以GaAs或A1GaAs为基体)光学特性的影响.表明:量子点中In含量的增加将导致载流子的定域能增加和基态与激发态之间的能量间隔增大.采用垂直耦合的量子点及宽能带的AlGaAs基体可增强材料的热稳定性.以AlGaAs为基体的InGaAs量子点,高温后退火工艺(T=830℃)可改善低温生长的AlGaAs层的质量,从而改善量子点激光器材料的质量.