纳米硅薄膜的氧化特性

• 作者: 傅东锋 刘明 崔志燮 江兴流
• 来源期刊: 北京航空航天大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 光致发光 表面复合 量子效应 表面态
• 年，卷（期）: 1999,（1）
• 页码范围: 96-99
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055|TN383.1
• 字数: 3279字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5965.1999.01.026

摘要

将nc-Si:H薄膜进行等离子和高温氧化处理,测量了样品的氢、氧含量,Raman谱、红外吸收谱、光致发光(PL).结果表明两种氧化方式都将氧掺入薄膜中,但不同处理方式氧在薄膜中的键合形式不同,Raman谱表明氧化处理对薄膜中晶粒大小及晶态比没有影响.用晶粒-表面模型对氧化引起的光致发光(PL) 蓝移进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	北京航空航天大学应用数理系	42	357	11.0	16.0
2	江兴流	北京航空航天大学应用数理系	27	70	5.0	7.0
3	崔志燮	烟台大学电子系	3	21	2.0	3.0
4	傅东锋	北京航空航天大学应用数理系	2	12	1.0	2.0