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InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱质子辐照损伤机理
高电子迁移率晶体管
质子辐照
空位缺陷
非电离能量损失
外加磁场对含双δ势垒的铁磁/半导体/铁磁异质结中自旋输运和散粒噪声的影响
势垒
铁磁/半导体/铁磁异质结
Rashba自旋轨道耦合效应
透射概率
散粒噪声
异质结银浆的研究现状综述
异质结银浆
研究现状
未来趋势
内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂
来源期刊 物理学报 学科
关键词
年,卷(期) 1999,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 121-126
页数 6页 分类号
字数 2241字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.1999.01.020
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物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
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2-425
1933
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