分子束外延生长InGaAs/GaAs异质结及其在独特场效应晶体管中的应用

• 作者: 尹志军 方小华 王向武 谢自力 邱凯 陈堂胜
• 来源期刊: 电子器件
• 关键词: InGaAs/GaAs异质结 分子束外延 异质结场效应晶体管 掺杂分布 沟道
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 页码范围: 258-261
• 页数: 4页
• 字数: 690字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2000.04.006

摘要

用分子束外延技术生长了InGaAs/GaAs异质结材料,并用HALL效应法和电化学C-V分布研究其特性.讨论了InGaAs/GaAs宜质结杨效应晶体管(HFET)的优越性.和GaAs MESFETS或HEMT相比,由于HFET没有Al组份,具有低温特性好,低噪声和高增益等特点.本文研究了具有InGaAs/GaAs双沟道和独特掺杂分布的低噪声高增益HFET.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢自力		11	34	4.0	5.0
2	邱凯		8	33	3.0	5.0
3	尹志军		11	40	4.0	6.0
4	方小华		3	16	1.0	3.0
5	王向武		11	24	2.0	4.0
6	陈堂胜		56	225	8.0	12.0