SP2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响

• 作者: 周江云 徐静芳 李琼 柳襄怀 茅东升
• 来源期刊: 华东师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 非晶金刚石薄膜 真空磁过滤弧沉积 SP2键 场发射
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 45-48
• 页数: 4页
• 分类号: O462.4
• 字数: 1591字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5641.2000.02.007

摘要

该文研究了真空磁过滤弧沉积方法制备的非晶金石薄膜(a-DF)的电子场发射性能,SP2键含量不同的薄膜的场发射性能有很大的差异,SP2键含量越高,阈值电场越小,发射电流越大,同时失效率也较高.SP2键含量为6.5%,20%,40%的薄膜,其阈值电场分别为2.7V/μm,1.5V/μm,0.7V/μm,远小于金属和硅尖锥的阈值电场.所有样品的发射点均为随机的点状分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周江云	华东师范大学电子科学技术系	1	2	1.0	1.0
2	李琼	华东师范大学电子科学技术系	9	54	4.0	7.0
3	徐静芳	华东师范大学电子科学技术系	5	40	2.0	5.0
7	茅东升	中科院上海冶金研究所离子束开放实验室	3	5	2.0	2.0
8	柳襄怀	中科院上海冶金研究所离子束开放实验室	1	2	1.0	1.0