硅基铁电薄膜的制备与电性能研究

• 作者: 任天令 刘理天 张林涛 李志坚
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电薄膜 PZT PT Sol-Gel法
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TN43|TM22+1
• 字数: 1965字
• 语种: 中文

摘要

用溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法制备了有PbTio3(PT)过渡层的硅基Pb(zr0.53Ti0.47)(O3(PZT)铁电薄膜,顶电极和底电极分别为溅射的金属钛铂层和低阻硅.在低温退火条件下得到了晶化很完善的铁电薄膜.测试结果表明有PT过渡层的铁电薄膜具有良好的铁电和介电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘理天	清华大学微电子所	230	1519	19.0	23.0
2	任天令	清华大学微电子所	87	600	13.0	19.0
3	李志坚	清华大学微电子所	84	451	11.0	15.0
4	张林涛	清华大学微电子所	10	68	5.0	7.0