150nm成像的0.7NA 远紫外步进扫描系统

• 作者: Frank Bornebroek Jan van Schoot Manfred Suddendorf Peter Rummer 立文
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 专题译文
• 页码范围: 35-47
• 页数: 14页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 6268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2000.02.007

摘要

为了拓展KrF光刻在小于180nm的SIA设计规则技术阶段的制造能力,需要一种最大0.7NA透镜的远紫外步进扫描曝光系统来提供足够的工艺容限.面临着SIA的150nm设计规则技术阶段,采用248nm光刻的制造难题包括接触孔复印,疏密图形偏差控制以及可满足全视场CD的均匀性.所有这些均得益于更大数值孔径的透镜.论述了在一台PAS5500/700B远紫外步进扫描系统中取得的实验结果.该机的设计是在PAS5500/500机的基础上,采用一种新的0.7NAStarlithTM透镜、AERIALTMⅡ型照明系统和先进的ATHENA对准系统组成.得出了180nm和150nm以及更小尺寸的密集和单线条图形、180nm和160nm接触孔图形的成像结果.除成像性能外,还得出了像平面偏差,系统畸变标记、单机套刻和多机套刻结果.对于ATHENA对准系统、对准重复性以及在CMP加工后的片子上的套刻结果也给予展示.这种曝光设备可提供150nm设计规划技术阶段批量生产要求的成像能力和套刻性能,并具有应用于更小设计规则研究与开发的潜力.